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安徽2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术易错题专练

一、单选题（共10题，每题2分）

1.在硅片表面制备掺杂层时，以下哪种方法属于离子注入的后续工艺？

A.原位退火

B.湿法清洗

C.化学气相沉积

D.等离子刻蚀

2.半导体制造中，用于去除光刻胶残留的工艺是？

A.去胶工艺（Strip）

B.氧化工艺

C.扩散工艺

D.离子注入

3.在外延生长技术中，以下哪种材料常用于蓝宝石基板的衬底？

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.碳化硅（SiC）

D.蓝宝石（Al?O?）

4.半导体器件的晶圆测试中，以下哪项属于开路测试？

A.短路测试

B.直流电阻测试

C.高频特性测试

D.开路电压测试

5.在刻蚀工艺中，以下哪种气体常用于干法刻蚀硅材料？

B.氢氟酸（HF）

C.氮氧化物（N?O）

D.硫化氢（H?S）

6.半导体制造中，以下哪种材料常用于制造MOSFET的栅极？

A.钛（Ti）

B.钼（Mo）

C.铇（W）

D.铝（Al）

7.在光刻工艺中，以下哪种方法属于接触式光刻？

A.步进式光刻

B.凸透镜光刻

C.接触式光刻

D.聚焦式光刻

8.半导体器件的封装工艺中，以下哪种方法属于倒装芯片（Flip-Chip）技术？

A.引线键合

B.胶粘键合

C.无引脚芯片（BGA）

D.焊料凸点（SolderBump）

9.在热氧化工艺中，以下哪种氧化物属于绝缘层？

A.氮化硅（Si?N?）

B.氧化硅（SiO?）

C.氧化铝（Al?O?）

D.氧化钛（TiO?）

10.半导体制造中，以下哪种工艺用于改善器件的导电性能？

A.退火工艺

B.氧化工艺

C.刻蚀工艺

D.扩散工艺

二、多选题（共5题，每题3分）

1.半导体制造中，以下哪些属于光刻工艺的步骤？

A.图案转移

B.曝光

C.显影

D.去胶

E.掩膜制备

2.在离子注入工艺中，以下哪些参数会影响注入深度？

A.注入能量

B.注入剂量

C.注入温度

D.注入气体种类

E.注入时间

3.半导体器件的封装工艺中，以下哪些属于倒装芯片的组成部分？

A.芯片

B.焊料凸点

C.基板

D.引线框架

E.透明封装材料

4.在刻蚀工艺中，以下哪些属于干法刻蚀的常用气体？

A.氟化氢（HF）

B.氮氧化物（N?O）

C.硫化氢（H?S）

D.氯化氢（HCl）

E.氮气（N?）

5.半导体制造中，以下哪些工艺属于外延生长技术？

A.MOCVD

B.CVD

C.LPE

D.VPE

E.溅射沉积

三、判断题（共10题，每题1分）

1.离子注入工艺是一种低温工艺，不会对晶圆表面造成热损伤。

（对/错）

2.光刻胶的曝光剂量越高，图案的分辨率越高。

（对/错）

3.氧化工艺可以用于制备半导体器件的绝缘层。

（对/错）

4.刻蚀工艺分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种，其中湿法刻蚀速率较慢。

（对/错）

5.倒装芯片技术可以提高器件的散热性能。

（对/错）

6.半导体器件的封装工艺中，引线键合是一种常用的连接方法。

（对/错）

7.热氧化工艺可以在氮气气氛下进行，以防止氧化层被污染。

（对/错）

8.外延生长技术可以制备出不同导电类型的单晶层。

（对/错）

9.离子注入后的退火工艺可以激活注入的杂质。

（对/错）

10.半导体制造中，所有工艺步骤都必须在洁净室中进行。

（对/错）

四、简答题（共5题，每题5分）

1.简述光刻工艺的基本步骤及其作用。

2.离子注入工艺中，影响注入深度的因素有哪些？

3.简述湿法刻蚀和干法刻蚀的区别及其应用场景。

4.半导体器件的封装工艺中，倒装芯片技术有哪些优势？

5.简述外延生长技术的原理及其在半导体制造中的作用。

五、论述题（共2题，每题10分）

1.结合安徽半导体产业发展现状，论述光刻工艺在制造高功率半导体器件中的重要性。

2.阐述离子注入工艺在半导体制造中的优缺点，并分析其在安徽地区芯片制造中的应用前景。

答案与解析

一、单选题答案

1.A

2.A

3.D

4.D

5.B

6.A

7.C

8.D

9.B

10.A

解析：

1.离子注入后的原位退火可以激活注入的杂质，改善其导电性。

2.去胶工艺用于去除光刻胶残留，避免影响后续工艺。

3.蓝宝石（Al?O?）是常用的高温补底材料，适用于SiC等宽禁带半导体外延。

4.开路测试用于检测器件的断路状态，常见于分立器件测试。

5.氢氟酸（HF）常用于干法刻蚀硅材料，形成高选择性刻蚀。

6.钛（Ti）因其高导电性和耐腐蚀性，常用于MOSFET的栅极金属层。

7.接触式