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MOSFET门控晶闸管工作原理：结构、机制与应用对比
MOSFET门控晶闸管（MOS-GatedThyristor，简称MGT）是融合MOSFET栅极控制特性与晶闸管高压大电流能力的复合功率器件，典型代表包括绝缘栅极换流晶闸管（IGCT）、MOS控制晶闸管（MCT）等。其核心优势是用MOSFET的电压控制模式，解决传统晶闸管需大电流触发的缺陷，同时保留晶闸管的低导通损耗特性，广泛应用于高压变频器、电力系统等场景。以下从结构特点、工作原理、特性对比及应用场景展开详解。
一、核心结构：MOSFET与晶闸管的“功能融合”
MOSFET门控晶闸管的结构本质是“晶闸管主体+
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