模电第四章常用半导体器件原理2.pptVIP

第二章集成运算放大器的线性应用基础USB=5V时:例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ位于饱和区，此时IC和IB已不是?倍的关系。4.4.5晶体管应用电路举例一、对数和反对数运算电路晶体管的电流方程图中，UO=-UBE=-UTln(IC/IS)，又IC=UI/R，所以这样就实现了对数运算。图中，输出电压UO=ICR=-ISRexp(-UBE/UT)，而输入电压UI=-UBE，因此从而实现了UO和UI之间的反对数(指数)运算。?二、?值测量电路图示电路用以测量晶体管的共发射极电流放大倍数?。因为IC=(U1-U2)/R1，IB=UO/R2，所以据此可以根据电压表的读数UO，结合预设电压U1和U2以及电阻R1和R2计算?。三、恒流源电路如图所示，稳压二极管DZ的稳定电压UZ=6V。UZ通过集成运放A传递到电阻R2上端，于是有IO=IC?IE=UZ/R2=20mA。作业：4-10、11、12、16双极型晶体管输入电阻小输入电流少子扩散导电易受温度射线的影响集成度低结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管（Fieldeffecttransistor）输入电阻极大输入电流几乎为零多子漂移导电温度稳定性好便于集成4.5场效应管N基底：N型半导体PP两边是P区G(栅极)S源极D漏极一、结构导电沟道4.5.1结型场效应管(JFET-----JunctiontypeFieldEffectTransister)NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管DGSPNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGS工作原理（以P沟道为例）UDS=0V时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时NNUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。PGSDUDSUGSNNUDS=0时UGS达到一定值时（夹断电压UGSoff）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS?0V，漏极电流ID=0AIDPGSDUDSUGSUGSUGSoff且UDS0、UGDUGSoff时耗尽区的形状（沟道未夹断）NN越靠近漏端，PN结反压越大IDPGSDUDSUGSUGSUGSoff且UDS较大时UGDUGSoff时耗尽区的形状NN沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。IDGSDUDSUGSUGSUGSoffUGD=UGSoff时NN漏端的沟道被夹断，称为预夹断。UDS增大则被夹断区向下有所延伸。IDGSDUDSUGSUGSUGSoffUGD=UGSoff时NN此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。ID三、特性曲线uGS0iDIDSSUGSoff饱和漏极电流夹断电压转移特性曲线一定UDS下的iD-uGS曲线予夹断曲线iDuDS2VUGS=0V1V3V4V5V可变电阻区夹断区恒流区输出特性曲线0N沟道结型场效应管的特性曲线转移特性曲线uGS0iDIDSSUGSoff输出特性曲线iDuDS0UGS=0V-1V-3V-4V-5VN沟道结型场效应管的特性曲线结型场效应管的缺点：1.栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。3.栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。2.在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。［例4.3.7］二极管限幅电路如图(a)所示，其中二极管D1和D2的导通电压UD(on)=0.3V，交流电阻rD?0。输入电压ui的波形在图(b)中给出，作出输出电压uo的波形。解：D1处