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mos管源漏共用电流.pdf

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    mosmos管源漏共用电流

    在半导体器件领域，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的源极与漏

    极共用电流特性直接影响器件性能与电路设计。当源极和漏极在特定结构中实

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    决定。当栅极施加正向偏置电压超过阈值电压，沟道形成后，电子从源极流向

    漏极的路径被激活。若源漏两端在电

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