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原子力显微镜解析过渡金属表面石墨烯与高温插硅的微观奥秘

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯作为一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，自2004年被首次成功剥离以来，因其独特的性能和广泛的应用前景，迅速成为材料科学、物理学等多领域的研究热点。其具有优异的电学性能，如室温下高达200,000cm2/（V?s）的载流子迁移率，远超硅材料，这使其在高速电子器件应用中极具潜力。在力学方面，石墨烯展现出高达1TPa的杨氏模量，是已知材料中强度最高的之一。此外，石墨烯还具备出色的热导率、光学透过性以及化学稳定性。这些卓越的性质，使其在电子器件、能源存储与转换、传感器、复合材料等众多领域展现出广阔的应用前景。

在众多制备石墨烯的方法中，化学气相沉积（CVD）法在过渡金属表面生长石墨烯，因其能够制备大面积、高质量的石墨烯，成为目前的主流方法之一。过渡金属如铜、镍、钌、铱等，由于其晶格结构和表面活性等特性，为石墨烯的生长提供了不同的生长环境，从而影响石墨烯的生长机理、质量和性能。例如，铜表面生长的石墨烯主要遵循表面催化生长机理，碳原子在铜表面吸附、扩散并成核生长；而在钌、铱等表面，石墨烯的生长则与碳原子在金属晶格中的溶解和析出过程密切相关。深入研究过渡金属表面石墨烯的生长，对于理解石墨烯的生长机制、提高石墨烯的质量和性能，以及实现其大规模制备和应用具有重要意义。

高温插硅工艺在材料科学领域也具有重要地位，尤其是在半导体器件制造和石墨烯相关研究中。在半导体领域，硅作为最常用的半导体材料，高温处理工艺可以实现杂质的扩散、激活，以及改善材料的晶体结构和电学性能。在石墨烯研究中，高温插硅可以调控石墨烯与衬底之间的相互作用，改变石墨烯的电子结构和电学性能。例如，通过高温插硅，可以在石墨烯与过渡金属衬底之间形成界面层，有效隔绝石墨烯与金属之间的电子耦合，从而保持石墨烯的本征电学性能。此外，高温插硅还可以引入特定的缺陷或掺杂，为石墨烯的性能调控提供新的途径。

原子力显微镜（AFM）作为一种高分辨率的扫描探针显微镜，在纳米材料研究中发挥着不可或缺的作用。AFM能够在纳米尺度上对样品表面进行成像，分辨率可达到纳米甚至亚纳米级别，能够直观地观察材料的表面形貌、粗糙度和微观结构。例如，通过AFM可以清晰地观察到石墨烯的原子级平整表面、边缘结构以及可能存在的缺陷。除了形貌表征，AFM还可以测量材料的多种物理性质，如硬度、弹性模量、粘附力等。在研究高温插硅后的材料时，AFM能够探测到由于硅原子插入而引起的材料表面力学性能变化。此外，AFM还可以与其他技术相结合，如电学测量技术，实现对材料电学性质的纳米级表征。因此，AFM为研究过渡金属表面石墨烯及高温插硅提供了一种强大的工具，有助于深入理解材料的微观结构与性能之间的关系。

1.2国内外研究现状

在过渡金属表面石墨烯生长方面，国内外学者开展了大量研究。在生长机理研究上，对于铜表面，研究表明其生长主要是表面催化过程，碳原子在铜表面吸附、迁移并成核生长。中国科学院金属研究所的研究团队通过原位观察技术，详细揭示了铜表面石墨烯生长过程中晶核的形成与演变规律。对于钌、铱等过渡金属，其生长机理涉及碳原子在金属晶格中的溶解与析出，如合肥微尺度物质科学国家实验室的研究人员通过第一性原理计算和多尺度模拟，阐明了Ir表面石墨烯生长过程中，由于晶格失配导致的非均匀生长行为，以及团簇吸附在生长过程中的关键作用。在生长质量与尺寸控制方面，通过优化生长工艺参数，如温度、气体流量、生长时间等，国内外都取得了显著进展。韩国蔚山国家科学技术研究所的研究团队报道了在孪晶晶体上外延生长单晶二维材料的方法，通过建立几何原理描述高折射率表面上的二维材料排列，成功在孪晶铜箔表面生长出晶圆级单晶石墨烯。

在高温插硅工艺研究方面，国外在半导体领域的研究起步较早，对硅材料在高温下的扩散、反应机制有深入的理解。例如，美国英特尔公司在硅基器件制造中，通过精确控制高温工艺参数，实现了高性能晶体管的制备。国内相关研究也在不断发展，在石墨烯与硅基材料结合的研究中取得了一定成果。中国科学院物理研究所的研究团队实现了金属表面外延高质量石墨烯的SiO?绝缘插层，通过分步插层技术，在石墨烯和Ru基底的界面处生长二氧化硅薄膜，实现了石墨烯与金属Ru基底之间的电学近绝缘。

在原子力显微镜应用于相关研究方面，国内外均利用AFM对过渡金属表面石墨烯的形貌、力学和电学性质进行了深入研究。例如，曼彻斯特大学的研究人员利用AFM测量了石墨烯的杨氏模量和断裂强度，验证了其优异的力学性能。国内清华大学的研究团队通过AFM与电学测量技术结合，研究了石墨烯的电学输运性质，揭示了其在纳