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半导体芯片制造工班组考核竞赛考核试卷含答案

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半导体芯片制造工班组考核竞赛考核试卷含答案

考生姓名：答题日期：判卷人：得分：

题型

单项选择题

多选题

填空题

判断题

主观题

案例题

得分

本次考核旨在检验学员对半导体芯片制造工班组相关知识的掌握程度，包括制造工艺流程、设备操作、质量控制等方面的实际应用能力。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.半导体芯片制造过程中，晶圆的清洗主要目的是去除（）。

A.污染物

B.氧化层

C.腐蚀痕迹

D.热应力

2.晶圆切割通常使用的切割方法是（）。

A.机械切割

B.化学切割

C.激光切割

D.电切割

3.光刻机中的光罩（reticle）主要用于（）。

A.发射光束

B.导引光束

C.反射光束

D.形成图案

4.在半导体制造中，光刻胶的主要作用是（）。

A.提供光刻掩模

B.保护晶圆表面

C.控制光刻分辨率

D.传输光束

5.半导体芯片制造过程中，晶圆的表面粗糙度对（）有重要影响。

A.电阻率

B.光刻分辨率

C.电流传导

D.热稳定性

6.化学气相沉积（CVD）技术中，CVD的“C”代表（）。

A.氧化

B.化学反应

C.沉积

D.热分解

7.晶圆制造中，掺杂剂的主要作用是（）。

A.增加电阻率

B.降低电阻率

C.改善导电性

D.提高热稳定性

8.半导体芯片制造中，离子注入技术的“离子”是指（）。

A.气体分子

B.离子束

C.电子束

D.光子束

9.晶圆的抛光过程中，通常使用的抛光液是（）。

A.硅烷

B.氢氟酸

C.硅油

D.磨料悬浮液

10.在半导体制造中，硅片的厚度通常在（）微米左右。

A.50-100

B.100-200

C.200-300

D.300-500

11.晶圆制造过程中，硅片的切割速度通常在（）米/秒左右。

A.0.1-1

B.1-10

C.10-100

D.100-1000

12.半导体制造中，光刻胶的曝光时间通常在（）秒左右。

A.0.01-0.1

B.0.1-1

C.1-10

D.10-100

13.在半导体制造中，离子注入的剂量通常在（）库仑/平方厘米左右。

A.1-10

B.10-100

C.100-1000

D.1000-10000

14.半导体制造中，光刻胶的烘烤温度通常在（）摄氏度左右。

A.100-200

B.200-300

C.300-400

D.400-500

15.晶圆制造中，抛光工艺的目的是（）。

A.提高导电性

B.降低表面粗糙度

C.增加厚度

D.提高热稳定性

16.半导体制造中，光刻胶的显影过程主要使用（）。

A.氢氟酸

B.硝酸

C.盐酸

D.碳酸

17.晶圆制造过程中，晶圆的清洗通常使用（）。

A.乙醇

B.氢氟酸

C.硅烷

D.水溶液

18.半导体制造中，光刻胶的烘烤过程主要是为了（）。

A.固化光刻胶

B.去除溶剂

C.提高光刻分辨率

D.增强粘附力

19.晶圆制造中，抛光工艺通常使用的抛光布是（）。

A.玻璃纤维

B.聚酯纤维

C.尼龙纤维

D.棉纤维

20.半导体制造中，离子注入的目的是（）。

A.改变导电性

B.提高热稳定性

C.降低表面粗糙度

D.增加厚度

21.在半导体制造中，光刻胶的烘烤时间通常在（）秒左右。

A.0.1-1

B.1-10

C.10-100

D.100-1000

22.晶圆制造过程中，晶圆的切割通常使用（）。

A.刀具

B.激光

C.化学溶液

D.电力

23.半导体制造中，光刻胶的显影时间通常在（）秒左右。

A.0.01-0.1

B.0.1-1

C.1-10

D.10-100

24.在半导体制造中，晶圆的清洗通常使用（）。

A.乙醇

B.氢氟酸

C.硅烷

D.水溶液

25.半导体制造中，光刻胶的烘烤温度通常在（）摄氏度左右。

A.100-200

B.200-300

C.300-400

D.400-500

26.晶圆制造过程中，晶圆的抛光通常使用（）。

A.抛光粉

B.抛光布

C.氢氟酸

D.硅烷

27.在半导体制造中，离子注入的剂量通常在（）库仑/平方厘米左右。

A.1-10