超临界二氧化碳系统刻蚀SiO₂的特性与工艺优化研究.docxVIP

超临界二氧化碳系统刻蚀SiO?的特性与工艺优化研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代半导体制造、微机电系统（MEMS）等众多领域中，SiO?作为一种关键的材料，其刻蚀技术的发展至关重要。在半导体制造领域，随着芯片集成度不断提高，对器件尺寸的精度要求达到了纳米级，SiO?刻蚀工艺的精确性直接影响着晶体管的性能和芯片的整体功能。在MEMS领域，SiO?常常用于制作微传感器、微执行器等器件的结构层或牺牲层，通过刻蚀形成复杂的微结构，实现压力、加速度、生物分子等物理量或化学量的感知与控制。

传统的SiO?刻蚀方法如湿法刻蚀和干法刻蚀在实际应用中面临着诸多挑战。湿法刻蚀虽然具有较高的刻蚀