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LCD中细节距COF互连工艺机理及可靠性研究
一、引言
(一)研究背景与意义
在当今数字化时代,液晶显示(LCD)技术已广泛应用于各类电子设备,从日常使用的手机、平板电脑,到大型的液晶电视和电脑显示器,LCD以其轻薄、节能、显示效果清晰等优势,成为显示领域的主流技术之一。随着人们对显示质量要求的不断提高,LCD的显示精度也在持续提升,这就对驱动芯片的性能提出了更高的要求。
为了实现更高的显示精度,液晶显示系统驱动芯片的I/O端口数量大幅度增加,以满足处理更多图像数据的需求。同时,为了减小芯片尺寸,降低成本,芯片的尺寸却在逐步缩小。这两种趋势相互作用,导致芯片凸点的间距进一步缩小,目前已达到35μm以下。这种微小的凸点间距对互连工艺提出了前所未有的挑战,传统的TCP(Tape-Carrier-Package)和COG(ChipOnGlass)技术,由于其自身的工艺局限性,已经越来越难以满足液晶显示系统中对互连精度的要求。
在这样的背景下,柔性板上芯片(ChipOnFoil,COF)技术应运而生,成为解决细节距互连问题的关键方案。COF技术的核心优势在于其使用的柔性基板,这种基板具有良好的柔韧性和可弯折性,能够适应芯片凸点间距不断缩小的趋势,为实现高精度互连提供了可能。同时,COF技术还采用了各种新型的互连方法,如非导电膜(NCF,Non-ConductiveFilm)和热压(Thermo-compression)技术,这些技术能够在细节距条件下实现可靠的电气连接,大大提高了互连的稳定性和可靠性。
根据键合方式和柔性基板上铜引线镀层材料的不同,COF可分为Au-Sn非导电膜,Au-Au非导电膜和Au-Au热压工艺。在Au-Sn非导电膜工艺中,键合过程中锡在高温下熔化并快速向表面有Au镀层的引线扩散,最终形成稳定的共晶焊点。这个过程中,金属间化合物的生长规律和组成成分,极大地影响着钎焊接头的强度、抗蠕变性、抗腐蚀性和可焊性。因此,深入研究Au-Sn焊点在钎焊过程中生成的金属间化合物的组成成分和形貌特征以及生成和成长机制,对于优化COF互连工艺,提高焊点的可靠性具有重要意义。
而对于Au-Au热压工艺,目前对其过程的认识还不够深入,尤其是对接面层结合机理及其演化的物理机制认识不足,这使得该工艺在实施过程中主要依赖于经验和实验,缺乏系统的理论指导。因此,引入科学的模型和方法,深入研究Au-Au热压工艺的界面结合机制,对于提高该工艺的可控性和可靠性,降低生产成本,具有重要的现实意义。
研究COF互连工艺机理与可靠性,对于提升LCD的长期稳定性与良率至关重要。一方面,通过深入了解COF工艺中各种物理和化学过程,能够优化工艺参数,提高互连的可靠性,从而减少因互连失效导致的显示故障,延长LCD的使用寿命,提升其长期稳定性。另一方面,优化的工艺能够提高生产过程中的良品率,降低生产成本,提高企业的市场竞争力。因此,对COF互连工艺机理及可靠性的研究,不仅具有重要的学术价值,也具有显著的实际应用价值。
(二)国内外研究现状
国内外学者对COF互连工艺的研究已取得了一定的成果,研究内容主要集中在焊点金属间化合物的生长动力学、热压界面结合机制以及在不同环境下的失效模式等方面。
在Au-Sn焊点金属间化合物(IMC)生长动力学研究方面,众多学者通过实验和理论分析,对Au-Sn焊点在钎焊过程中生成的金属间化合物的组成成分、形貌特征以及生成和成长机制进行了深入研究。研究发现,在键合过程中,锡在高温下熔化并快速向表面有Au镀层的引线扩散,最终形成稳定的共晶焊点,其间金属间化合物的生长规律和组成成分,极大地影响着钎焊接头的强度、抗蠕变性、抗腐蚀性和可焊性。通过对金属间化合物相的厚度与时间关系的经验公式研究,总结出了Au-Sn化合物在一定温度范围内的生长公式,这对于控制金属间化合物的生长,提高焊点的可靠性具有重要意义。
在Au-Au热压界面结合机制研究方面,虽然已经引入了金属扩散焊接的原子反应数学模型,并利用非线性有限元模拟软件分析了不同键合压力下热压工艺过程中凸点及引线表面压力的分布,但目前对该工艺过程的认识还不够深入,尤其是对接面层结合机理及其演化的物理机制认识不足,导致该工艺的实施在很大程度上依赖于经验和实验,缺乏系统的理论指导。
关于湿热环境下的失效模式研究,学者们通过对不同COF互连工艺制备的样品进行加速实验,如加速湿度测试(AHT)、热冲击测试(TST)等,分析了湿气、温度等因素对接触电阻、绝缘电阻等性能的影响,发现不同工艺对湿热环境的敏感程度不同,其中ACF工艺对湿热最为敏感,而Au-Sn非导电膜工艺存在较为严重的失效问题,进一步
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