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igbtigbt及其子器件的几种失效模式

IGBT作为电力电子领域核心器件,其可靠性直接影响设备寿命。失效模式

通常由电应力、热应力、机械应力共同作用引发,需要从器件物理结构和工作

机理层面理解。

短路失效分为静态与动态两种状态。静态短路多由制造缺陷导致,比如芯

片内部金属层存在微小裂纹,通电后裂纹处电流密度剧增形成熔断点。动态短

路常发生在器件开关瞬间,驱动信号异常导致栅极电荷积累不足,沟道未完全

形成引发局部导通。某逆变器厂商曾发现批量产品在低温启动时出现短路,最

终查明是栅极驱动电阻温漂特性不匹配导致。

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