模拟集成电路设计试卷及答案.docxVIP

模拟集成电路设计试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在室温（300K）下，某MOSFET的阈值电压Vth=0.4V，漏极电流Id=1mA时对应的栅源电压Vgs=1.0V。若Vgs增加到1.2V，且假定Id与(Vgs-Vth)^2成正比，则此时漏极电流Id约为多少微安？

A.2.25

B.4.5

C.8

D.16

2.下列关于BJT发射结和集电结偏置状态的描述，哪一项是正确的？

A.放大状态：发射结反偏，集电结正偏

B.饱和状态：发射结正偏，集电结正偏

C.截止状态：发射结反偏，集电结反偏

D.饱和状态：发射结正偏，集电结反偏

3.在设计一个具有高输入阻抗的单极性放大器时，应优先选用哪种晶体管？

A.NPNBJT

B.PNPBJT

C.NMOSFET

D.PMOSFET

4.对于一个共源放大器，其电压增益Av主要由什么因素决定？（假设负载电阻RL已确定）

A.漏极电流Id

B.栅源电压Vgs

C.源极电阻Rs

D.跨导gm

5.在多级放大器中，为了获得更高的增益带宽积（GBW），通常采用哪种配置？

A.电流串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电压串联负反馈

D.电流并联负反馈

6.下列哪个参数是衡量运算放大器性能的关键指标？

A.输出功率

B.输入失调电压

C.差模输入电阻

D.静态功耗

7.对于一个单极点系统，其频率响应的幅频特性在转折频率（ωp）处，增益的变化量（用分贝表示）约为多少？

A.0dB

B.-3dB

C.-6dB

D.-9dB

8.在BJT小信号模型中，rπ代表什么？

A.集电极输出电阻

B.发射结动态电阻

C.基极输出电阻

D.发射极电阻

9.为了展宽放大器的通频带，通常需要引入哪个环节？

A.正反馈

B.负反馈

C.串联反馈

D.并联反馈

10.在设计低噪声放大器时，通常优先选用哪种器件？

A.高频BJT

B.低频BJT

C.高频MOSFET

D.低频MOSFET

二、填空题（每空2分，共20分）

1.MOSFET的输出特性曲线可以分为三个区域：可变电阻区、______区和______区。

2.在BJT放大电路中，为了稳定静态工作点，常采用______电路和______电路。

3.共源放大器的输入电阻主要由______决定，输出电阻主要由______决定（忽略负载电阻）。

4.放大器的增益带宽积（GBW）是描述其______和______两个性能指标综合特性的参数。

5.反馈放大器的闭环增益Acl与开环增益Aol以及反馈系数β的关系为：Acl=______。

6.运算放大器的理想模型具有极高的开环差模增益、极低的______和______。

7.影响放大器高频响应的主要因素包括密勒效应、______和______。

8.对于一个n阶线性系统，其频率响应的幅频特性在ω=∞时，增益趋于______。

9.在场效应管的小信号模型中，跨导gm定义为______。

10.放大电路的噪声通常来源于______噪声、______噪声和______噪声等。

三、计算题（每题10分，共30分）

1.电路如题图所示（此处无图，请自行构思一个简单的BJT共射放大器），已知：β=100，VCC=12V，RC=2kΩ，RE=1kΩ，RB1=56kΩ，RB2=24kΩ，VEE=2V。假设晶体管的Early效应可以忽略不计。求晶体管的静态工作点ICQ和VCEQ。

2.电路如题图所示（此处无图，请自行构思一个简单的NMOS共源放大器），已知：VDD=5V，RD=2.5kΩ，RS=1kΩ，gm=1mA/V，Cgs=2pF，Cgd=0.2pF。负载电阻RL=10kΩ。假设源极电阻RS对直流偏置的影响可以忽略。求该放大器的中频电压增益Av（即Vout/Vin，忽略负载RL）和源极电阻RS引入的输入电阻Rin。（提示：可以先用简化的等效电路计算Av，然后计算Rin）

3.电路如题图所示（此处无图，请自行构思一个简单的电压串联负反馈放大器，例如运放带电阻反馈），已知：运算放大器为理想运放，开环增益Aol=∞，输入电阻Rif=∞，输出电阻Ro=0。