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Co掺杂MgxZn1-xO薄膜：微结构演变与磁性关联的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，电子器件的性能和功能不断提升，对新型材料的需求也日益迫切。自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，近年来受到了广泛的关注。它不仅在基础研究领域展现出独特的魅力，而且在实际应用中具有巨大的潜力。自旋电子学利用电子的自旋和磁矩特性，实现了信息的存储、处理和传输，为未来的信息技术发展提供了新的方向。

在自旋电子学的研究中，磁性半导体材料因其独特的电学和磁学性质，成为了研究的热点之一。这些材料不仅具有半导体的电学特性，还具备磁性材料的磁学特性，能够实现电子的自旋极化和自旋相关散射，为自旋电子器件的发展提供了重要的基础。其中，MgxZn1-xO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料，具有优异的物理性能和广泛的应用前景，近年来受到了研究者们的极大关注。

MgxZn1-xO薄膜是由MgO和ZnO组成的固溶体，其禁带宽度可以通过调节Mg含量在3.37-7.8eV之间连续变化。这种特性使得MgxZn1-xO薄膜在光电器件领域具有巨大的应用潜力，如紫外探测器、发光二极管、激光二极管等。此外，MgxZn1-xO薄膜还具有良好的化学稳定性、机械性能和热稳定性，使其在高温、高湿度等恶劣环境下仍能保持良好的性能。

然而，纯MgxZn1-xO薄膜的电学和磁学性能还不能完全满足实际应用的需求。为了进一步优化其性能，研究者们尝试通过掺杂的方法来引入新的特性。在众多的掺杂元素中，Co元素因其具有较高的磁矩和良好的兼容性，成为了一种理想的掺杂选择。Co掺杂可以有效地改变MgxZn1-xO薄膜的晶体结构、电子结构和磁学性能，从而为其在自旋电子学领域的应用提供了新的可能性。

本研究旨在深入探讨Co掺杂对MgxZn1-xO薄膜微结构和磁性的影响，揭示其内在的物理机制，为MgxZn1-xO薄膜在自旋电子学领域的应用提供理论支持和实验依据。通过对Co掺杂MgxZn1-xO薄膜的研究，有望开发出具有优异性能的新型磁性半导体材料，推动自旋电子学的发展和应用。

1.2国内外研究现状

近年来，国内外学者对MgxZn1-xO薄膜及Co掺杂相关方面进行了大量研究。在MgxZn1-xO薄膜制备方面，已发展出多种成熟技术，如分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）和射频磁控溅射等。MBE技术能够精确控制原子层生长，制备出高质量、原子级平整的薄膜，但设备昂贵、制备效率低；PLD可在复杂衬底上生长薄膜，且能较好保持靶材化学计量比，但薄膜生长速率较低；MOCVD适合大规模制备，能精确控制薄膜成分和厚度，然而工艺复杂、成本较高；射频磁控溅射设备相对简单、成本较低，可制备大面积薄膜，且薄膜与衬底附着力好。

在结构特性研究中，研究发现MgxZn1-xO薄膜通常具有六角纤锌矿结构，且随着Mg含量增加，晶格常数会发生微小变化，c轴晶格常数变化仅约0.9%。薄膜的结晶质量受制备工艺和衬底温度等因素影响，较高的衬底温度一般有助于提高结晶质量，使薄膜具有更好的c轴择优取向。在光学性质方面，MgxZn1-xO薄膜的带隙可通过改变Mg含量在3.3-4.0eV范围连续调节，随着Mg含量增加，带隙增大，光致发光光谱和吸收光谱出现明显蓝移现象，这使得它在紫外光电器件应用中极具潜力。

对于Co掺杂MgxZn1-xO薄膜，研究主要聚焦于其磁性起源和磁学性能调控。部分研究表明，Co掺杂可使MgxZn1-xO薄膜呈现出铁磁性，且磁性与Co含量、薄膜微结构密切相关。当Co含量较低时，薄膜可能呈现弱铁磁性；随着Co含量增加，铁磁性逐渐增强，但过高的Co含量可能导致杂质相产生，反而影响磁性。薄膜的结晶质量、缺陷类型和密度也会对磁性产生显著影响，如氧空位等缺陷可能与Co离子相互作用，改变磁矩排列和磁交换作用。

然而，现有研究仍存在一些不足。一方面，对于Co掺杂MgxZn1-xO薄膜磁性起源尚未形成统一认识，不同研究小组基于不同实验条件和样品得出不同结论，如部分认为是Co离子之间的直接交换作用，部分则认为是缺陷介导的间接交换作用；另一方面，在薄膜微结构与磁性关联研究中，虽然已认识到两者密切相关，但对具体的微观结构因素如何影响磁性，以及如何通过精确控制微结构来实现对磁性的有效调控，研究还不够深入和系统。此外，在制备工艺方面，如何进一步优化工艺以实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制，同时降低成本，也是亟待解决的问题。

本研究将针对上述不足，深入系统地研究Co掺杂MgxZn1-xO薄膜的微结构和磁性，通过优化制备工艺精确控制薄