晶体管及其基本电路2讲课文档.pptVIP

晶体管及其基本电路;优选晶体管及其基本电路;晶闸管的缺点：

1）过载能力差。过电流，过电压时容易损坏，要采用保护措施，使用的电压及电流要留余量。

2）抗干扰能力差，易受冲击电压的影响。

3）导致电网电压波形畸变，产生高次谐波分量，对电网产生干扰。

4）控制电路复杂。

目前的许多大功率器件已经克服了这些缺点。;10.1电力半导体器件

分类：

1.不可控器件，例如功率二极管

2.半控型器件，例如可控硅（SCR)

3.全控型器件，GTO，GTR，功率MOSFET，IGBT;第5页，共46页。;晶闸管（SiliconControlledRectifier—SCR)

1.晶闸管的结构和符号：是可控制的硅整流元件----可控硅。;2.晶闸管的工作原理：

晶闸管具有可控的单向导电性。

1）可控性：既当控制极（G）加电压才导通。

2）单向导通：反向电压时不导通。;将晶闸管等效地看成是两只晶体管的组合:一只为PNP型晶体管,另一只为NPN型晶体管.中间的PN结为两管共用.

在A-K和G-K之间加上正向电压,会形成强烈的正反馈,循环下去,晶闸管就导通了.;晶闸管的特性：

1）起始时若控制极不加电压，则无论阳极加正向电压或反向电压，晶闸管均不导通。

2）晶闸管的阳极和控制极同时加正向电压晶闸管才导通，晶闸管导通同时具备的两个条件。

3）晶闸管导通后，控制极就失去了作用；要使晶闸管由导通变为关断，就要将晶闸管的正向电压降到一定值（正向电压关断或正向电压反向）。

晶闸管PN结间可通过几十A~几千A的电流。;3.晶闸管的伏安特性：;4)晶闸管的主要参数;额定电流IT的选取：;10.1.２其他电力半导体器件

１.双向晶闸管：用于交流电路。相当于两只普通的晶闸管的反并联，或叫交流晶闸管。控制极对电源的两个半周均有触发控制作用。;２.可关断晶闸管（GTO);３.功率晶体管：适用于高电压和高电流的晶体管。

优点：

（1）正向压降小，功耗小。

（2）当基极电流消失或反相时，晶体管立即截止，因而不存在关断问题。

缺点：

（1）电压和电流额定值低；

（2）基极功耗较大。;电力半导体器件的发展现状

五个阶段：

（1）二极管和晶闸管

（2）功率MOSFET，GTO??GTR

（3）绝缘栅双极晶体管（IGBT）

（4）新的大功率型器件：对称栅极换流晶体管（SGCT），集成门极换向晶体管（IGCT）。

高集成度模块化是另一个发展方向，如智能功率模块（IPM)。

（5）功率集成电路（PIC）及其派生器件

将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路集成在同一芯片上。;10.２单相可控整流电路

可组成单相半波，单相桥式，三相零式和三相桥式整流电路。

10.２.1单相半波可控整流电路

1.带电阻负载的可控整流电路：;第18页，共46页。;２.带电感性负载的可控整流电路：;３.带电感性负载的可控整流电路（加续流二极管）：;例:单相半波可控整流电路带电阻负载,已知:U2=220V,输出直流电压50V,输出直流电流20A.求(1)晶闸管的控制角;(2)电流有效值;(3)选用晶闸管。

解;(1)

由得：

(2)电流有效值

(3)晶闸管允许的电流平均值

;10.２.２单相桥式可控整流电路;２）.电感性负载；;２）.反电势负载;电流是断续的,加平波电抗器后,负载的电流是连续的;2.单相全控桥式整流电路：;10.3三相可控整流电路;1）当α=0时：;2）当0≤α≤π/6时：;3）当π/6≤α≤5π/6时：;2.电感性负载：

由于电感的作用,电流的变化落后于电压的变化.

;当α=π/2时，Ud=0。三相半波整流电路带电感负载时,α的移相范围为0~π/2.;三相桥式全控整流电路;三相全控桥式整流电路是三相半波整流电路的两倍.;三相桥式全控整流电路输出电压数值等于共阴极组与共阳极组输出电压之和，即为

线电压.;10.4逆变器;;整流状态逆变状态;无源逆变电路;单相桥式逆变器;2单相无源逆变器的电压控制

对于交流变频调速，要求U/f不变，即在改变频率时必须改变端电压的大小，因此，要求逆变器必须进行电压控制。其控制方法有：

1）控制逆变器的输入直流电压

如果电源为交流，则可以通过可控整流电路，把交流变成可调的直流输入到逆变器，而控制逆变器的输出交流电压。这在交—直—交变频器中常用。

若为