自对准技术与PECVD、APCVD工艺在微电子制造中应用.pdfVIP

自对准技术

self-alignmenttechnique

微电子技术中利用元件、器件结构特点实现印自动对准的技术

早期的MOS采用的是铝栅工艺,经第一次光刻,在二氧化硅膜上刻蚀出源和漏

扩散窗口,用扩散法形成源和漏扩散区；再经过第二次光刻，刻蚀出栅区，生长栅氧

化层；因为栅区必须在源和漏扩散区正中间，并需要稍覆盖源区和漏区，第二次光刻

以及形成铝栅电极的那步光刻，都必须和第一次光刻的位置精确对准。缺点是光刻时

使栅区的两端分别落在源和漏扩散区上并有一定余量，由此便产生了较大的栅对源、

漏的覆盖电容，使电路的开关速度降低。

随硅栅工艺的发展，已实现栅与源和漏的自对准。这种工艺是先在生长有栅氧化膜的

硅单晶片上淀积一层多晶硅，然后在多晶硅上刻蚀出两个扩散窗口，杂质经窗口热扩

散到硅单晶片内，形成源和漏扩散区，同时形成导电的多晶硅栅电极，其位置自动与

源和漏的位置对准。按照这种自对准工艺，栅与源和漏的覆盖由杂质侧向扩散完成，

比铝栅工艺的覆盖电容要小很多。

采用离子注入掺杂工艺的杂质侧向扩散更小，用它代替硅栅工艺中的热扩散工艺，能

进一步减小栅对源和漏的覆盖电容，可提高MOS的开关速度和工作频率,同

时也减小器件尺寸而提高电路的集成度。

PECVD

smaEnhancedChemicalVaporDeposition

是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离

子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反

应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等

离子体(电浆)增强化学气相沉积(PECVD)

优点：

基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。

缺点如下：

1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；

2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对有害；

3.对小孔孔径内表面难以涂层等。

APCVD

AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition

常压化学气相淀积，是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气

相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，但是均匀性较

差，台阶覆盖能力差，所以一般用于厚的介质淀积。

LPCVD

LowPressureChemicalVaporDeposition

低化学气相沉积法，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积,过程在管炉中执行，

要求相当高的温度。

PHCVD

PhotoChemicalVaporDeposition

光反应式化学气相沉积法，是利光能使气体分解，增加反应气体的化学活性，促进气

体之间化学反应的化学气相沉积技术。