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2025-10-24 发布于天津
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热电材料器件集成工艺考核试卷.doc

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热电材料器件集成工艺考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.热电材料器件集成工艺中最常用的材料是：

A.金属

B.半导体

C.陶瓷

D.玻璃

2.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

3.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

4.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

5.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

6.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

7.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

8.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

9.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

10.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

11.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

12.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

13.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

14.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

15.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

16.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

17.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

18.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

19.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

20.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

21.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

22.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

23.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

24.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

25.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

26.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

27.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

28.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

29.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

30.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

二、多项选择题（每题2分，共20题）

1.热电材料器件集成工艺中，常用的薄膜沉积方法包括：

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

2.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

B.增加材料导电性

C.形成特定形状

D.提高材料热导率

3.热电材料器件集成工艺中，以下哪种方法不适合用于薄膜沉积？

A.电子束蒸发

B.溅射

C.光刻

D.热氧化

4.热电材料器件集成工艺中，以下哪项不是主要工艺步骤？

A.薄膜沉积

B.刻蚀

C.焊接

D.激光退火

5.热电材料器件集成工艺中，刻蚀的主要目的是：

A.形成导电路径

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