半导体探测器讲课文档.pptVIP

半导体探测器;半导体探测器;OpticalSpectrum;半导体探测器的应用;电子的跃迁

初态到终态的跃迁

纯净半导体

吸收边通常把吸收限附近的吸收谱称为吸收边。它相应于电子由价带顶附近到导带底附近的跃迁。;直接跃迁和间接跃迁;第7页，共38页。;1WhatisaPhotodetector?;Howitworks?;2p-n结光电二极管原理;;当光照射在pn结部位时，由于光吸收使电子由价带激发到导带，分别在导带和价带生成电子和空穴。这些电子和空穴，在pn结区域耗尽层存在的内建电场的作用下，分别向n型区域和p型区域移动。这时，如果将p型区域和n型区域用外电路将其短路的话，外部电路就有由这些载流子产生的光电流。

;8.3PIN型光电二极管;第14页，共38页。;第15页，共38页。;在p和n之间有一未掺杂i区。

由于掺杂浓度低，材料接近本征，在外加反偏置电场作用下，整个i区都为耗尽层。

光生载流子在电场作用，会很快地扫过耗尽层而分别到达p区或n区。

在外电路上形成光电流，其响应速度也就大大地得到了提高。;Photodetectors

ThepinPhotodiode;Inap–nphotodiode,Theelectricfieldinthedepletionlayerisnotuniform.

ap–i–ndiodehasthefollowingtwoimportantcharacteristics:

Thedepletionlayerisalmostcompletelydefinedbytheintrinsicregion;

theelectricfieldinthedepletionlayerisuniformacrosstheintrinsicregion;;Driftvelocityvs.electricfieldforholesandelectronsinSilicon.;(3)响应时间;AlargedireducestheRCtimeconstantofthedevicebyreducingCi,butitincreasesthetransittimeτtr

ThetransittimecanbeoptimizedwithachosenW.BecauseCicanbereducedbyreducingthedevicearea,ap–i–nphotodiodenormallyhasanintrinsicregionthathasathicknesschosentooptimizethequantumefficiencyandthetransittime.

Forahigh-speedp–i–nphotodiode,thedeviceareaismadesmallenoughthattheRCtimeconstantisnotalimitingfactorofitsfrequencyresponse.;第23页，共38页。;（8.4）探测器量子效率和响应度;;第26页，共38页。;8.6异质结中的光电流;x1;x1;1透过d2区域

2在x1区域吸收

3内建场作用下的漂移;;窄带区对电流的总贡献：;;边界条件：

X=d2-x2:Dp=0(到达空间电荷区边界立刻被电场拉走。）

;(8.18);;;谢谢大家！