第三章带间跃迁的吸收与发射光谱2讲课文档.pptVIP

临界点的性质有效质量的各向异性：在临界点附近展开(k0x,k0y,k0z)M0:二次项系数皆为正数(极小);M1:二次项系数中,两个正,一个负(鞍点);M2:二次项系数中,一个正,两个负(鞍点);M3:二次项系数皆为负数(极大).一维体系联合态密度在临界点附近的解析行为及图示.A=(4?/ab)h-1(mz)1/2,B为与能带结构有关的一个常数临界点联合态密度图示Q0极小?Q1极大第28页，共53页。临界点联合态密度图示M0极小?M1鞍点M2鞍点?M3极大三维体系联合态密度在临界点附近的解析行为及图示.A=?25/2h-3(mxmymz)1/2，B与能带结构有关的常数第29页，共53页。二维体系临界点与联合态密度.其中A=(8?/c)h-2(mxmy)1/2，B为与能带结构有关的常数临界点联合态密度图示P0极小?P1鞍点P2极大第30页，共53页。第31页，共53页。宇称选择定则跃迁矩阵元取长波近似）电偶极跃迁矩阵元及选择定则其中利用即例，对反演对称体系，若价带波函数为偶函数，则导带波函数为奇函数，允许偶函数，禁戒第32页，共53页。取电四极跃迁矩阵元及选择定则即第33页，共53页。3.9激发态载流子的可能运动方式带内跃迁子带间跃迁晶格驰豫(Relaxation)电子—声子相互作用导带电子热均化(Thermalization)无辐射复合(Non-radiativeRecombination)多声子发射，电子回到基态俄歇（Auger)过程通过杂质与缺陷态的无辐射复合辐射复合(RadiativeRecombination)第34页，共53页。带内跃迁导带自由电子的吸收（激发）p:1.5到3.5特点:随l单调上升,无精细结构Drude模型第35页，共53页。带内子能谷之间的跃迁P型半导体价带内的跃迁(a)?V2?V1(b)?V3?V1(c)?V3?V2导带子能谷间的跃迁K相同子能谷之间的跃迁K不同子能谷之间的跃迁声子的参与?p价带内的跃迁K相同子能谷间跃迁KE?nX?不同K子能谷间跃迁N-GaP导带中能谷间的跃迁特点:吸收强度与掺杂浓度成正比,峰位也相应改变第36页，共53页。弛豫（Relaxation）弛豫：非平衡态—平衡态的过渡晶格弛豫：电子—声子相互作用热均化(Thermalization),速率：1010/s(声学声子)—1013/s(光学声子)声子参与的无辐射跃迁EK0Eg第37页，共53页。无辐射跃迁位型坐标模型(ConfigurationCoordinate)ABD位型坐标模型激发态位型基态位型激活能A’EAA’—吸收(激发)A’B—弛豫BD—辐射复合DA—弛豫A’BCD—无辐射多声子弛豫多声子弛豫电子和离子晶格振动总能量与离子平均位置的物理模型第38页，共53页。*第三章带间跃迁的吸收与发射光谱第1页，共53页。引言—固体中的电子态固体能带论绝热近似单电子近似表示方法K空间，E(K)实空间,E(x)第2页，共53页。一、固体能带论1.电子共有化由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象，称为电子的共有化。第3页，共53页。2、能带的形成电子的共有化使原先每个原子中具有相同能级的电子能级，因各原子间的相互影响而分裂成一系列和原来能级很接近的新能级，形成能带。第4页，共53页。能带的一般规律：原子间距越小，能带越宽，?E越大；越是外层电子，能带越宽，?E越大；两个能带有可能重叠。禁带：两个相邻能带间可能有一个不被允许的能量间隔。第5页，共53页。锗和硅的能带结构E—K图（间接带半导体）第6页，共53页。电子在能带中的分布：每个能带可以容纳的电子数等于与该能带相应的原子能级所能容纳的电子数的N倍（N是组成晶体的原胞个数）。正常情况下，总是优先填能量较低的能级。满带：各能级都被电子填满的能带。满带中电子不参与导电过程。价带：由价电子能级分裂而形成的能带。价带能量最高，可能被填满，也可不满。空带：与各原子的激发态能级相应的能带。正常情况下没有电子填入。第7页，共53页。3、导体和绝缘