晶体三极管与场效应管讲课文档.pptVIP

三极管的检测③穿透电流确定集电极C，发射极E找出了基极B，另外两个电极哪个是集电极C，哪个是发射极E呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极C和发射极E。A对于NPN型三极管，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻RCE和REC，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→C极→B极→E极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极C，红表笔所接的一定是发射极E。第30页，共44页。三极管的检测B对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→E极→B极→C极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极E，红表笔所接的一定是集电极C。注：若由于上述颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在上述两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极B，仍用上面的判别方法即可区分开集电极C与发射极E。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。第31页，共44页。*晶体三极管与场效应管第1页，共44页。三极管的常见外形90143DG52N22022N2202第2页，共44页。三极管的结构--NNP发射区集电区基区发射结集电结ECB发射极集电极基极NPN型PNP型--PPN发射区集电区基区发射结集电结ECB发射极集电极基极三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。ECB符号ECB符号第3页，共44页。BJT的构造(以NPN为例)N+PN-Si集电极CCollector基极BBase发射极EEmitter金属层N型硅片（衬底）对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极E、基极B和集电极C。发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子第4页，共44页。强化练习1NPN型三极管ECB符号电路符号集电区集电结基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极EP集电区的作用：收集载流子基区的作用：传送、控制载流子发射区的作用：发射载流子第5页，共44页。强化练习2PNP型三极管ECB符号电路符号集电区集电结基区发射结发射区PP集电极C基极B发射极EN集电区的杂质浓度：较低基区的厚度：非常薄发射区的杂质浓度：很高第6页，共44页。icie输入输出BJT的组态三极管在使用时，根据实际需要，可接成三种不同的组态。不管接成哪种组态，都有一对输入端和一对输出端；icib输入输出共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示;ieib输入输出共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。CECBCC第7页，共44页。三极管的放大作用是满足自身的内部结构特点的前提下，在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。内部结构BJT的结构特点外部条件发射结正偏，集电结反偏。BJT的电流放大条件UCEVCCRCICCEBUBEVBBRBIB输入回路输入回路公共端共发射极放大电路?发射区的掺杂浓度最高(N+)；?集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；?基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。第8页，共44页。共射极NPN放大电路CEBNNPRBVBBIBICVCCJCJE三极管在工作时必须加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结正偏：由VBB保证；必须使：UBE0硅管：UBE=UB-UE=0.7（V）锗管：UBE=UB-UE=0.3（V）集电结反偏：由VBB、VCC保证；UCB=VCC?UBE0，反偏；集电结电场很强。结论：对于正常工作的NPN管，必然有UCUBUE第9页，共44页。共射极PNP放大电路CEBPPNRBVBBIBICVCCJCJE三极管在工作时必须加上适当的直流偏置