自动化技术《模拟电子技术（专业课）》2024-2025学年春季学期期中试卷及答案.docVIP

自动化技术《模拟电子技术（专业课）》2024-2025学年春季学期期中试卷及答案

一、选择题（本大题总共15小题，每题2分，共30分）

1.半导体中的自由电子是由（）产生的。

A.价电子脱离共价键形成

B.原子的外层电子受激发产生

C.本征激发和杂质激发产生

D.以上都不对

答案：A

解析：半导体中的自由电子是由价电子脱离共价键形成的。

2.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度

B.杂质浓度

C.光照

D.晶体缺陷

答案：B

解析：杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。

3.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.无法确定

答案：A

解析：温度升高时，二极管的反向饱和电流增大。

4.稳压管正常工作时应处于（）。

A.正向导通状态

B.反向截止状态

C.反向击穿状态

D.放大状态

答案：C

解析：稳压管正常工作时应处于反向击穿状态。

5.测得某放大电路中三极管三个电极的电位分别为UE=3V，UB=3.7V，UC=10V，则这只三极管是（）。

A.NPN型硅管

B.NPN型锗管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

答案：A

解析：UBE=3.7-3=0.7V，为硅管，且Uc最高，所以是NPN型硅管。

6.三极管放大电路中，静态工作点设置过高将产生（）。

A.截止失真

B.饱和失真

C.交越失真

D.以上都不对

答案：B

解析：静态工作点设置过高会使三极管进入饱和区，产生饱和失真。

7.共发射极放大电路的电压放大倍数数值约为（）。

A.小于1

B.等于1

C.大于1

D.远大于1

答案：D

解析：共发射极放大电路的电压放大倍数通常远大于1。

8.射极输出器的输出电阻（）。

A.很大

B.很小

C.适中

D.与负载电阻有关

答案：B

解析：射极输出器的输出电阻很小。

9.多级放大电路总的电压放大倍数等于各级放大电路电压放大倍数的（）。

A.之和

B.之差

C.之积

D.之商

答案：C

解析：多级放大电路总的电压放大倍数等于各级放大电路电压放大倍数之积。

10.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。

A.元件老化

B.晶体管参数受温度影响

C.电源电压不稳定

D.以上都是

答案：B

解析：直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。

11.集成运算放大器的输入级采用差分放大电路是为了（）。

A.提高电压放大倍数

B.提高输入电阻

C.减小零点漂移

D.增加带负载能力

答案：C

解析：集成运算放大器的输入级采用差分放大电路是为了减小零点漂移。

12.理想运算放大器工作在线性区时，两个输入端的特点是（）。

A.虚短和虚断

B.短路和断路

C.开环放大倍数无穷大

D.输入电阻无穷大

答案：A

解析：理想运算放大器工作在线性区时，两个输入端的特点是虚短和虚断。

13.反相比例运算电路的输出电压与输入电压的关系是（）。

A.同相

B.反相

C.成比例且同相

D.成比例且反相

答案：D

解析：反相比例运算电路的输出电压与输入电压成比例且反相。

14.同相比例运算电路的电压放大倍数（）。

A.小于1

B.等于1

C.大于1

D.大于等于1

答案：D

解析：同相比例运算电路的电压放大倍数大于等于1。

答案：D

解析：同相比例运算电路的电压放大倍数大于等于1。

15.电压比较器输出电压的状态取决于（）。

A.输入电压的大小

B.输入电压的极性

C.参考电压的大小

D.输入电压与参考电压的比较结果

答案：D

解析：电压比较器输出电压的状态取决于输入电压与参考电压的比较结果。

二、填空题（本大题总共5题，每题4分，共20分）

1.半导体中有两种载流子，分别是______和______。

答案：自由电子、空穴

解析：半导体中的两种载流子是自由电子和空穴。

2.二极管的主要特性是具有______。

答案：单向导电性

解析：二极管的主要特性是单向导电性。

3.三极管实现放大作用的内部条件是______和______。

答案：发射区高掺杂、基区薄且掺杂低

解析：三极管实现放大作用的内部条件是发射区高掺杂、基区薄且掺杂低。

4.多级放大电路的耦合方式有______、______和______。

答案：直接耦合、阻容耦合、变压器耦合

解析：多级放大电路的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、变压器耦合。

5.集成运算放大器的主要参数有______、______、______等。

答案：开环电压放大倍数、输入失调电压、输出电阻

解析：集成