位错阵列对Mg-Gd-Y-Zr合金析出行为的影响.docxVIP

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2025-10-28 发布于浙江
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《热加工工艺》2020

《热加工工艺》2020年6月第49卷第12期

位错阵列对Mg-Gd-Y-Zr合金析出行为的影响

油超S刘楚明\万迎春S唐蓓\王必正S高永浩S蒋树农\张高龙2,韩修柱3

(1.中南大学材料科学与工程学院，湖南长沙410083;2.天津航天机电设备研究所，天津300301;3.北京空间飞行

器总体设计部，北京100094)

摘要：采用光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等设备研究了Mg-9.5Gd-3.8Y-0.6Zr合金在单向锤锻以及265°C人工时效后的显微组织。结果表明：在440°C锤锻后的Mg-Gd-Y-Zr合金中出现了大量由平行排列的短位错组成的位错阵列。这些位错阵列在晶粒内部具有近似相同的取向，彼此之间的间距约为0.3?1.4pm。由于位错阵列是高储能、大畸变区域，在后续时效过程中有诱导第二相析出作用。人工时效时，P相会优先在位错阵列上形核和长大，取向相同且均匀的分布在位错阵列上，形成析出相链。髙温时效下溶质原子扩散加剧，位错阵列会对周围的稀土溶质原子产生强烈的吸引，导致沿着析出相链形成无沉淀析出区域(PFZ)。

关键词：微观组织;Mg-Gd-Y-Zr合金;位错阵列；时效处理；析出相DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814中图分类号TGI46.22;TG166.4 文献标识码A 文章编号：1001-3814(2020)12-0109-04

EffectofDislocationArrayonPrecipitationBehaviorofMg-Gd-Y-ZrAlloy

YOUChao1,LIUChurning1,WANYingchun1,TANGBei1,WANGBizheng1,

GAOYonghao1,JIANGShunong1,ZHANGGaolong2,HANXiuzhu3

(1.SchoolofMaterialsandEngineering,CentralSouthUniversity,Changsha410083,China;2.TianjinInstituteofAerospaceMechanicalandElectricalEquipment,Tianjin300301,China;3.BeijingInstituteofSpacecraftSystemEngineering,Beijing100094,China)

Abstract：ThemicrostructureofMg-5Gd-3.8Y-0.6Zralloyinaxialhammerforgingstateand265°Cageingstatewas

studiedbymeansofopticalmicroscope,scanningelectronmicroscopeandtransmissionelectronmicroscope.Theresultsshowthat,alargenumberofdislocationarrayscomposedofparallelshortdislocationsappearintheMg-Gd-Y-Zralloyafterhammerforgingat440°C.Thesedislocationarrayshaveapproximatelythesam