半导体物理北交课件考研必备-前言.pptxVIP

前言本讲介绍了半导体物理的背景和重要性，并概述了课程内容和学习目标。中设作者：侃侃

半导体物理概述硅晶体硅是半导体材料中最重要的材料之一，在现代电子技术中发挥着关键作用。PN结PN结是半导体器件中重要的基础结构，可以实现对电流的控制。晶体管晶体管是现代电子技术的核心器件，可以实现对信号的放大和控制。集成电路集成电路是将大量电子器件集成在一个芯片上，提高了电子产品的性能和可靠性。

半导体的基本性质1导电性半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，其电阻率随温度升高而降低。2能带结构半导体具有独特的能带结构，导带和价带之间存在禁带，决定了其导电特性。3载流子类型半导体中存在两种类型的载流子：电子和空穴，它们在电场作用下运动产生电流。4杂质掺杂通过掺杂不同类型的杂质原子可以改变半导体的导电类型和载流子浓度。

能带理论能带理论是固体物理学中解释固体材料电学性质的关键理论。它描述了原子中电子能级的变化，以及这些能级在形成固体时如何演变为能带。能带理论解释了导体、绝缘体和半导体的不同电学特性。例如，导体的能带结构允许电子在能带中自由移动，而绝缘体的能带结构则禁止电子移动。半导体的能带结构则处于两者之间，具有特定条件下可导电的特性。

费米-狄拉克统计统计基础费米-狄拉克统计是量子统计的一种，它描述了遵循费米-狄拉克分布的粒子，如电子，在不同能级上的分布情况。这种统计方法考虑了泡利不相容原理，即两个相同的费米子不能占据相同的量子态。能级分布在低温下，费米子倾向于占据较低能级，形成费米能级。随着温度升高，一些费米子会跃迁到更高的能级，但它们的分布仍然遵循费米-狄拉克分布。应用范围费米-狄拉克统计在固体物理学中至关重要，它用于理解半导体、金属和其他材料中的电子行为。它还应用于核物理学和天体物理学等领域。

载流子浓度载流子浓度是半导体材料中自由电子和空穴的数量。本例中，电子浓度远高于空穴浓度，表明该半导体是N型半导体。

热平衡下的载流子浓度在热平衡状态下，半导体内部的电子和空穴浓度保持稳定。这种稳定状态是由电子和空穴之间的相互作用和能量交换所决定的。电子浓度ni空穴浓度pi电子浓度和空穴浓度之间的关系可以用质量作用定律来描述。nipi=ni2热平衡下的载流子浓度对温度非常敏感，温度升高会导致载流子浓度增加。

非热平衡下的载流子浓度当半导体受到外界的激励，例如光照、电场、温度梯度等，就会导致载流子浓度偏离热平衡状态，形成非热平衡状态。非热平衡下的载流子浓度会受到多种因素影响，例如光照强度、电场强度、温度梯度等。非热平衡状态下，载流子浓度不再由费米-狄拉克统计决定，而是由相应的物理过程决定，例如光激发、电场注入、热激发等。

载流子的复合和产生1复合电子与空穴相遇，重新结合成中性原子。2产生由外来能量激发，原子释放电子变成空穴。3热激发由热能提供能量，产生电子空穴对。4光激发由光子提供能量，产生电子空穴对。复合是指电子与空穴相遇，重新结合成中性原子，减少自由载流子数量。产生是指由外来能量激发，原子释放电子变成空穴，增加自由载流子数量。热激发是由热能提供能量，光激发是由光子提供能量，都是产生电子空穴对的主要方式。

半导体中的电流漂移电流由外电场作用下载流子定向运动形成的电流。电场方向和电流方向一致。扩散电流由载流子浓度梯度引起的扩散运动形成的电流，扩散方向与浓度梯度方向相反。总电流在实际半导体中，漂移电流和扩散电流同时存在，总电流是两者之和。

半导体中的电阻电阻的概念半导体的电阻是指它对电流的阻碍作用。半导体的电阻与其材料的性质、尺寸和温度有关。影响因素半导体材料的电阻率受载流子浓度、迁移率和温度的影响。温度升高会增加载流子浓度，降低电阻率。

半导体中的霍尔效应11.霍尔电压在磁场中，载流子受到洛伦兹力的作用，偏转形成霍尔电压，测量霍尔电压可以得到载流子类型和浓度。22.霍尔系数霍尔系数是一个重要的物理量，反映了材料的载流子浓度和迁移率，可以用于表征半导体的性质。33.霍尔效应应用霍尔效应广泛应用于磁场测量、电流测量、半导体特性分析等领域，在电子器件和传感器领域具有重要的应用价值。44.测量方法霍尔效应测量通常采用四探针法，通过测量霍尔电压和电流，可以计算出霍尔系数。

PN结的形成PN结是半导体器件的基础，由两个不同类型的半导体材料接触形成。PN结的形成涉及载流子扩散和漂移，最终形成一个空间电荷区和一个势垒。1掺杂将少量杂质原子加入半导体材料中。2扩散多数载流子从高浓度区域扩散到低浓度区域。3漂移由于扩散形成的电场，少数载流子被吸引到相反方向。4空间电荷区在PN结中形成的无载流子区域。5势垒空间电荷区产生的电势差，阻止进一步扩散。

PN结的电特性PN结的形成PN结是由掺杂不同的半导体材料连接形成的，通常是P型半导体和N型半导体，它们的能带图显示了