LED用GaN材料生长技术.pdfVIP

HotWorkingTechnology2016，Vo1．45，No．14

LED用GaN材料生长技术

郑梅．黄和平

(1．陕西科技大学机电工程学院，陕西西安710021；2．浙江正泰电器股份有限公司，浙江乐青325603)

摘要：GaN材料是制造LED应用最为广泛的材料之一。本文概述了GaN材料的主要生长技术．比较了他们的原

理和优缺点，并对今后的发展做了展望。

关键词：GaN；LED；生长技术

DOI：10．141580．cnki．1001-3814．2016．14．004

中图分类号：TN31文献标识码：A文章编号2016)14．0014．02

GrowthTechnologyofGaNMaterialUsedinLED

ZHENGMei．HUANGHeping~

(1．SchoolofMechatronicEngineering，ShaanxiUniversityofScienceandTechnology，Xi’an710021，China；ZhejinagChint

ElectricCo．，Ltd．，Leqing325603，China)

Abstract：GaNisoneofthemostwidelyusedmaterialsforLEDmnaufacture．ThemaingrowthtechniquesofGaN

materialwerereviewed．Theprincipleandadvantagesanddisadvnatagesofthetechniquewerecompraed．Andthefuture

developmentwaslookedofrward．

Keywords：GaN；LED；rgowthtechnique

发光二极管(LightEmittingDiodes，简称LED)物气相外延(HVPE)t41。本文对LED用GaN材料生

是把电能转化为光能的部件，其核心部分是半导体长技术进行了论述。

材料制成的PN结，是电注入式固体发光器件[1_。目

1生产GaN材料的主流技术概述

前，一般采用宽禁带半导体材料III—V族化合物及其

多元混晶制备发光二极管，包括：二元系化合物1．1体单晶生长技术

GaAs、GaP、GaN、InP、SiC；三元系化合物GaAsP、1970年，Zetterstorm等人[5]在氨气中加热GaN

AlGaAs、InGaN、AlGaN、InGaP、AlGaP；还有四元化粉末获得了针状GaN单晶。最大的单晶尺寸达到了

合物InGaAIP、InGaAsP等[2]。目前占据LED市场绝5mm。1997年，Porowski等人同报道了采用液态金属

大部分份额的是GaN，该材料在LED器件上应用Ga在高的氮气氛压力下高温反应制备出了40nl／n

十分普遍，一直是人们关注的热点。用GaN研制的的片状体单晶，能得到一些无缺陷的部分。工业上第

发光二极管颜色纯正、亮度高，性能比传统的一个真正的GaN体单晶衬底是2001年l0月美国

GaA1As或A1GalnP制作的LED更优越。在GaN材国际技术与器件公司(TDI)报道的，直径达到1．5in

料中掺入Al和In，可使其发光波长范围从红光覆f1in=2．54cm)。GaN体单晶衬底发展越来越趋向于大

盖到紫光，因此，可广泛地应用于制造LEDt3]。尺寸，但是，距实际工业产业化应用还是有较大的差距。

GaN材料有很多生长技术．人们已经对GaN的