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粒子辐照对宽禁带器件可靠性的影响机制研究

目录

文档概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5

1.2宽禁带半导体材料发展概况．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6

1.3粒子辐照技术研究现状．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10

1.4器件可靠性评估方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11

1.5本文研究内容及目标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13

宽禁带器件基本特性与模型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16

2.1宽禁带半导体物理基础．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18

2.1.1能带结构与电子态密度．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20

2.1.2载流子输运特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22

2.1.3材料缺陷与陷阱效应．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．25

2.2常见宽禁带半导体材料介绍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26

2.2.1氮化镓(GaN)材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．32

2.2.2氮化镓铝(AlGaN)材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．33

2.2.3碳化硅(SiC)材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．36

2.2.4氧化镓(Ga?O?)材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．38

2.3典型宽禁带器件结构设计．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39

2.3.1氮化镓基高电子迁移率晶体管．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．43

2.3.2氮化镓基金属氧化物半导体场效应晶体管．．．．．．．．．．．．．．．．45

2.3.3碳化硅基功率器件．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．47

2.4器件电学模型与仿真方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．50

2.4.1热平衡条件下器件模型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．53

2.4.2非平衡条件下器件模型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．57

2.4.3仿真软件及设置．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．58

粒子辐照对宽禁带器件的损伤机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．62

3.1辐照环境与粒子类型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．63

3.1.1空间辐射环境．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．64

3.1.2地面辐射环境．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．68

3.1.3实验室辐照源类型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．69

3.2粒子与物质相互作用机理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．70

3.2.1载流子产生机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．74

3.2.2电离与激发过程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．76

3.2.3核反应及损失效应．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．78

3.3粒子辐照引起的材料级损伤．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．79

3.3.1晶格缺陷形成．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．82

3.3.2能带结构变化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．86

3.3.3陷阱态引入．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．88

3.4器件级损伤效应分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．90

3.