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2025至2030中国第三代半导体材料在射频器件中应用进展研究报告.docx

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    2025至2030中国第三代半导体材料在射频器件中应用进展研究报告

    目录

    TOC\o1-3\h\z\u一、中国第三代半导体材料在射频器件中的发展现状 3

    1、第三代半导体材料基本特性与技术优势 3

    氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）材料性能对比 3

    在高频、高功率射频应用场景中的适配性分析 5

    2、射频器件产业链结构与国产化进展 6

    上游材料制备与衬底供应现状 6

    中下游器件设计、制造与封装能力评估 7

    二、关键技术演进与创新趋势 9

    1、材料生长与器件制备工艺突破 9

    高电子迁移率晶体管（HEMT）结构优化路径 9

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