项目二硅锭棒的检测黄宵18课件.pptxVIP

项目二

硅锭（棒）的检测

主讲人：黄宵

任务目标

任务描述

任务实施

一、任务目标

1．掌握冷热探笔法检测的基本原理及工艺操

作流程；

2．熟悉三探针法检测的基本原理及工艺操作

流程；

3．能正确地进行导电型号的检测。

一、任务描述

在单晶生长和铸锭多晶生长工艺中，掺入带硼

或磷的母合金，晶体中会产生电子或空穴，使

导电性能大大提高。本任务主要采用冷热探笔

法进行型号的检测与分析。

三、任务实施

（一）、检测方法及其基本原理

1．冷热探笔法

如图2.2所示，在一块单晶样品上压上两根金属探笔，一根是冷探笔，

另一根是热探笔，用电阻丝加热。热探笔的温度保持在40～60℃。当两

根探笔与半导体材料相接触后，半导体的两个接触点之间产生温度差。

如果两根探笔之间接上检流计构成闭合回路，就会发现检流计的指示光

点会朝某一个方向偏转，表示回路中出现一定方向的电流，这一电流就

是温差电流。

图2.2冷热探笔法测导电类型

三、任务实施

（一）、检测方法及其基本原理

1．冷热探笔法

如图2.3所示，冷探笔和热探笔之间接上一个检流计，就成了图2.4的情

况。由于温差电动势的存在，检流计的指示就会向某个方向偏转。P型

半导体和N型半导体中产生的温差电动势的方向是相反的，对于P型半导

体，从上面的讨论可以知道，空穴扩散流的方向是从热端到冷端，电场

的方向是从冷端指向热端，冷端带正电，热端带负电。检流计中电流的

方向是从冷端流向热端的。而对于N型半导体，电子是多数载流子。用

同样的分析可以得知，电子热运动扩散流的方向是从热端到冷端，但由

于电子带负电，电荷积累的结果是热端带正电，冷端带负电，电场的方

向从热端指向冷端，检流计中电流的方向是从热端流向冷端的，与P型

半导体的情况相反。可见，使用冷热探笔法，根据温差电动势和温差电

流在两种不同导电类型的半导体材料中不同的方向，可以判断出它的导

电类型。

三、任务实施

（一）、检测方法及其基本原理

2．三探针法

三探针法测半导体导电类型的方法原理图见图2.5，在样品上压上3个探

针，针距在0.15～1.5mm的范围内。在探针2和探针3之间接检流计，根

据检流计指示偏转的方向就可以判断半导体样品是P型还是N型。

图2.5三探针法测导电类型

三、任务实施

（一）、检测方法及其基本原理

2．三探针法

假定样品为N型半导体。探针与半导体构成整流接触，可用图2.6来等效，

其中每一个整流接触都用一个二极管和一个接触电阻（扩展电阻）的串

联电路来等效；VD1、VD2和VD3分别是探针1、探针2和探针3与N型半导

体接触时的等效二极管，r1．r2和r3分别是探针1、探针2和探针3与半

导体的接触电阻。首先分析探针1和探针二回路的电流、电压波形，把

探针1和探针2部分单独拿出来，如图2.7（a)所示；假设外加电压u1的

波形如图2.7（b）所示，因为电路是纯电阻电路，所以电流i1的波形与

电压u1的波形同相。当u1为正半周时，中的电流方向为；当为负半

周时，V中的电流方向为如图2.7（d）所示。

三、任务实施

二、两种方法的比较及其适用场合

冷热探笔法是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。

理论计算表明，温差电动势的大小随着掺杂浓度的减小而增

大，即样品的电阻率越高，温差电动势越大。但另一方面，

高阻样品的电阻很大，尽管电动势大了，温差电流却随着电

阻率的增高而减小。所以，冷热探笔法主要适用电阻率不太

高的样品，对低阻样品很灵敏，一般认为适用于室温电阻率

在1000Ω·cm以下的单晶。

利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法

对于低阻单晶往往是不适合的，这是因为金属与低阻单晶常

常构成欧姆接触。一般认为这种方法适用于室温电阻率在

Ω·cm之间的硅单晶。

三、任务实施

三、测准条件的分析

测准硅单晶的型号是制作半导体器件的原始依据。

每一种测量导电类型的方法都有自已一定的适用

范围，离开这些范围测量型号就有可能发生差错。

因此首先应注意单晶电阻

率的大致范围，然后再选定一种测量型号的方法。

三、任务实施

四、硅单晶导电类型作业指导

（一）冷热探笔法

1．方法原理

温差电动势、温差电流法。

2．仪器设备

GXS单晶型号测试仪、冷热探笔、P型单晶样品、N型单晶样品。

3．操作步骤

①接线接好电源线，将热笔电缆插入4芯插座，冷笔插头插入3芯插座。

②打开电源开关，此时电源指示灯及加热指示灯同时亮起，10min以内保温（绿）灯

亮，即热笔已达