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AN2018-09_ZH
CoolSiC™MOSFET栅极驱动电压窗口指南
关于本文档
英飞凌科技致力于以全面的半导体能力提升电气系统性能。我们的专业知识体现在我们的产品及其在相关
使用条件下的表现，也体现在我们分享最新半导体技术知识的意愿。对于碳化硅(SiC)MOSFET等新技术而
言，这一点尤为重要，因为在某些工作条件下,SiCMOSFET的特性不同于硅(Si)开关。这种新技术的经验和
相关文献的公开程度不如市场上已存在很长时间的技术。
SiCMOSFET需要考虑的一个重要方面是栅极阈值电压(VGS(
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