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大功率逆导型IGBT的特性剖析与专用驱动设计研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今电力电子技术飞速发展的时代,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为核心功率器件,广泛应用于工业、新能源、智能电网、轨道交通等众多领域,为实现电能的高效转换与控制奠定了坚实基础。IGBT融合了金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)驱动功率小、开关速度快以及双极结型晶体管(BJT)通态压降低、载流能力强的优点,在1-100kHz的频率范围内表现卓越,其电压覆盖范围可达600V-6500V,电流范围为1A-3600A(140mmx190mm模块),被形象地誉为功率变流产品的“CPU”、“
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