场效应管及其基本放大电路 (2).pptVIP

第1页，共40页，星期日，2025年，2月5日特点：1.单极性器件(一种载流子导电)3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低2.输入电阻高(107?1015?，IGFET可高达1015?)第2页，共40页，星期日，2025年，2月5日5.1.1结型场效应管1.结构与符号N沟道JFETP沟道JFETS—源极SourceG—栅极GateD—漏极Drain相当于三极管的C相当于三极管的B相当于三极管的E第3页，共40页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理N沟道PN结N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电压，栅极与沟道之间的PN结为反偏。在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。P沟道场效应管工作时，极性相反，沟道中的多子为空穴。第4页，共40页，星期日，2025年，2月5日①栅源电压VGS对iD的控制作用当VGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小；VGS更负，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，ID≈0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压UGS(off)。第5页，共40页，星期日，2025年，2月5日②漏源电压VDS对iD的影响在栅源间加电压VGS＞UGS(off)，漏源间加电压VDS。则因D端耗尽层所受的反偏电压比S端耗尽层所受的反偏电压大,使靠近D端的耗尽层比S端厚，沟道比S端窄,使沟道呈楔形。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=UGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断点，当VDS继续增加时，预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大，使主要VDS降落在该区。Id电流近似不变。第6页，共40页，星期日，2025年，2月5日3.转移特性和输出特性当UGS(off)?uGS?0时,第7页，共40页，星期日，2025年，2月5日一、增强型N沟道MOSFET(MetalOxideSemi—FET)MOS场效应管1.结构与符号P型衬底(掺杂浓度低)N+N+用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层SD用金属铝引出源极S和漏极DG在绝缘层上喷金属铝引出栅极GB耗尽层S—源极SourceG—栅极GateD—漏极DrainSGDB5.1.2绝缘栅场效应管栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。第8页，共40页，星期日，2025年，2月5日2N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。当栅源电压UGS=0时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。SD第9页，共40页，星期日，2025年，2月5日1)uGS对导电沟道的影响(uDS=0)ID第10页，共40页，星期日，2025年，2月5日EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–当UGS0时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；N型导电沟道在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。当UGSUGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。第11页，共40页，星期日，2025年，2月5日EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–N型导电沟道当UGS?UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。第12页，共40页，星期日，2025年，2月5日2)uDS对iD的影响(uGSUGS(th))DS间的电位差使沟道呈楔形，uDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄。预夹断(UGD=UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹