氮化硼填充导热高分子复合材料：制备工艺与性能调控的深度剖析.docxVIP

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2025-11-08 发布于上海
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氮化硼填充导热高分子复合材料：制备工艺与性能调控的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，电子设备正朝着小型化、集成化和高性能化的方向迈进。从智能手机、平板电脑等消费电子产品，到数据中心、5G通信基站等高功率设备，电子元件的集成度越来越高，运行速度越来越快，这使得设备在工作过程中产生的热量急剧增加。如5G基站中的功率放大器，其功率密度相比4G基站大幅提升，散热问题成为制约其性能和稳定性的关键因素。

过高的温度会对电子设备产生诸多负面影响。一方面，它会降低电子元件的性能，如半导体器件的电子迁移率会随温度升高而下降，导致设备运行速度变慢、响应时间变长。另一方面