透明镁锌氧化物薄膜晶体管：特性、制备与应用前景探究.docx

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2025-11-09 发布于上海
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透明镁锌氧化物薄膜晶体管：特性、制备与应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为现代电子显示技术和集成电路中的关键器件，自20世纪初概念提出以来，历经了漫长且富有变革性的发展历程。1925年，德裔美国物理学家李利费尔首次提出场效应晶体管的概念，并在1930年申请专利，虽受当时技术限制未能实现制备，但开启了晶体管技术研究的大门。1947年，贝尔实验室的巴丁和布列坦成功制备点接触型晶体管用于电信号放大，随后肖克利发明双极性晶体管和结型场效应晶体管，进一步推动晶体管技术发展。1962年，美国无线电公司实验室的魏麦使