金属基卟啉聚酰亚胺与含三联吡啶超分子：合成、存储性能及机理探究.docxVIP

金属基卟啉聚酰亚胺与含三联吡啶超分子：合成、存储性能及机理探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，信息的存储与处理是推动科技发展和社会进步的关键因素。信息存储材料作为信息存储技术的核心，其性能的优劣直接影响着存储设备的容量、速度、稳定性和可靠性。随着信息技术的飞速发展，对信息存储材料的要求也越来越高，如更高的存储密度、更快的读写速度、更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性等。传统的信息存储材料，如磁存储材料和光存储材料，在面对不断增长的信息存储需求时，逐渐暴露出一些局限性，如存储密度接近物理极限、读写速度受限、易受外界环境干扰等。因此，开发新型高性能信息存储材料成为了信息存储领域的研究热点。

金属基卟啉聚酰亚胺和含三联吡啶超分子作为两类具有独特结构和性能的材料，在信息存储领域展现出了巨大的潜力。金属基卟啉聚酰亚胺结合了金属卟啉的光、电、磁等特性以及聚酰亚胺的优异机械性能、热稳定性和化学稳定性，有望在电存储、光存储等领域发挥重要作用。含三联吡啶超分子则通过三联吡啶与金属离子之间的配位作用，形成具有特殊结构和性能的超分子聚合物，其在分子识别、自组装以及信息存储等方面具有独特的优势。研究这两类材料的设计合成、信息存储行为及机理，不仅有助于深入理解材料的结构与性能关系，为新型信息存储材料的开发提供理论基础，而且对于推动信息存储技术的发展，满足日益增长的信息存储需求具有重要的现实意义。

1.2有机/聚合物基存储材料概述

1.2.1材料的种类和发展历史

有机/聚合物基存储材料的发展可以追溯到20世纪中叶。早期，人们主要关注有机小分子材料在电子学领域的应用，如一些具有光电活性的染料分子被用于研究光电器件。随着高分子科学的发展，聚合物材料逐渐进入信息存储领域。最初，聚合物材料主要作为电介质或封装材料应用于存储器件中，起到绝缘和保护的作用。

20世纪80年代以来，随着对有机材料电学性能研究的深入，出现了具有电双稳特性的有机聚合物材料，如聚对苯撑乙烯（PPV）及其衍生物等。这些材料在电场作用下能够呈现出两种不同的电学状态，可用于信息的存储和读取，开启了有机/聚合物基电存储材料的研究热潮。此后，一系列新型有机/聚合物基存储材料被不断开发出来，包括有机小分子与聚合物的复合材料、共轭聚合物、树枝状聚合物等。

在发展过程中，材料的种类不断丰富，性能也不断提升。从最初简单的电双稳材料，到如今具有多种功能和高性能的存储材料，如具有高存储密度、快速读写速度、良好稳定性和耐久性的材料。同时，材料的制备工艺也逐渐成熟，从传统的溶液加工方法，发展到如今的多种先进制备技术，如旋涂、喷墨打印、纳米压印等，为有机/聚合物基存储材料的大规模应用奠定了基础。

1.2.2有机/聚合物基电双稳存储器

有机/聚合物基电双稳存储器是利用有机/聚合物材料的电双稳特性来实现信息存储的器件。其基本工作原理是基于材料在不同电场条件下能够发生可逆的电学状态转变。当施加一定强度的电压时，材料从低电阻态（导通态）转变为高电阻态（关断态），或者从高电阻态转变为低电阻态，这两种状态可以分别对应二进制信息中的“0”和“1”。

典型的有机/聚合物基电双稳存储器结构通常包括金属电极、有机/聚合物电双稳材料层以及另一金属电极。在写入过程中，通过在两个电极之间施加合适的电压脉冲，使电双稳材料发生状态转变，从而将信息写入。在读取过程中，施加一个较小的读取电压，根据材料的电阻状态来判断存储的信息是“0”还是“1”。与传统的无机存储器相比，有机/聚合物基电双稳存储器具有一些独特的优势，如可溶液加工性，便于采用低成本的印刷工艺制备大面积存储器件；材料种类丰富，可通过分子设计来调控材料的性能；具有良好的柔韧性，有望应用于柔性电子器件中，实现可穿戴电子设备等的信息存储。

1.2.3有机聚合物基电双稳材料的存储机理

有机聚合物基电双稳材料的存储机理较为复杂，目前主要有以下几种常见的理论。

电荷转移机理：在电双稳材料中，存在着电子给体和受体基团。在电场作用下，电子可以在给体和受体之间发生转移，形成电荷转移复合物。这种电荷转移过程会导致材料的电学性能发生变化，从而实现电双稳态。例如，一些含有共轭结构的聚合物与小分子电子受体混合后，在电场作用下，电子从聚合物的最高占据分子轨道（HOMO）转移到小分子受体的最低未占据分子轨道（LUMO），形成电荷转移态，使材料的电阻发生改变。

氧化还原机理：某些有机聚合物材料中的活性基团可以在电场作用下发生氧化还原反应。氧化态和还原态的材料具有不同的电学性能，通过控制氧化还原反应的发生，可以实现材料的电双稳态。例如，含有金属配合物的聚合物，金属离子的氧化态变化可以引起聚合物整体电学性能的改变，从而实现信息存储。

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