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User’sGuide

LM2727降压控制器评估模块用户指南

内容

1引言2

2启动电压2

3双路MOSFET封装2

4低侧二极管2

5其他封装2

6布局优化3

7PCB布局5

8修订历史记录6

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ZHCABF4D–AUGUST2002–REVISEDFEBRUARY2022LM2727降压控制器评估模块用户指南1

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引言

1引言

LM2727评估板针对各种元件而设计，用于展示LM2727芯片的灵活性。输入电压限制与芯片相同：2.2VDC至

16VDC。稳定输出电压范围为0.6V至输入电压的85%。输出电流受所选元件的限制，但此电路板的大小以及对

SOIC-8MOSFET的限制意味着实际限制约为10A。

本示例设计在4A电流下将12V降压至3.3V，开关频率为800kHz。本设计可以按照LM2727/LM2737用于低输

出电压的N沟道FET同步降压稳压器控制器数据表的设计注意事项部分进行修改。

电路板由四层构成，顶层和底层包含信号/电源迹线，并有一个内部接地层和一个内部分离电源层。所有层均覆有

1oz铜，电路板采用62milFR4层压板。

2启动电压

LM2727演示板附带的默认电路使用自举二极管和小电容器（D1和CBOOT）在高侧MOSFET上提供足够高的栅

源电压以驱动FET。如果提供了高于V电压值两倍的单独电源轨，则可以使用0.1µF旁路电容器C通过

INC

BOOT连接器将这个更高的电压直接连接到BOOT引脚。在这种情况下，应从电路板上拆下D1和CBOOT。请勿

同时连接C和C/D1。

CBOOT

3双路MOSFET封装

LM2727演示板的两种额外封装适合采用SOIC-8封装的双路N沟道MOSFET。Q3封装适合Si4816DY

“LITTLEFOOTPlus”（来自VishaySiliconix）等器件。Q4封装适合Si4826DY（也来自VishaySiliconix）等

器件。

4低侧二极管

D2封装适合与低侧FET并联的肖特基二极管。这可以提高效率，因为分立式肖特基将具有比低侧FET的体二极

管更低的正向电压。该封装适合SMA尺寸器件。如有需要，可以完全拆下低侧FET，LM2727将作为异步降压控

制器运行。

5其他封装

Rc2和Cc3的1206封装适合具有更复杂补偿需求的设计。

SOIC-8