基于硅基工艺的220GHz压控振荡器和注锁分频器设计.pdfVIP

摘要

移动通信领域随着时代不断地向前迈进，经过逐年创新和发展，出现了越来

越多的无线通讯技术、人工智能的产品融入到人们的生活当中。当前5G移动通

讯技术正逐步地普及，高频信号的工作频段非常充足，而低频段的复用率渐渐饱

和，导致信道工作空间逐渐变得拥挤。研究毫米波级信号传输能够很大程度上缓

和低频段信道工作的负担，同时毫米波的优势使得信号的传输在稳定性、保密性、

高效性上有很大的提高，所以对毫米波无线通讯技术的研究在当今的通信领域是

不可或缺的。

本文基于SiGeBiCMOS工艺设计了毫米波压控振荡器和注入锁定分频器。

论文对压控振荡器的起振类型、指标，以及无源器件特点方面做了分析和介绍。

然后对毫米波压控振荡器和宽锁定范围的注入锁定分频器进行设计。其主要内容

如下：

1、毫米波压控振荡器结构选择Colpitts结构，采用基极发射极短接的HBT

管作变容管，最终实现的压控振荡器的频率调谐范围是213.9~224.2GHz，电源供

2

电是1.8V，电路的输出功率是3.4~4.8dBm，版图面积是0.13mm，电路功耗是

15.15mW，在频偏10MHz处的相位噪声是-102.25dBc/Hz。其次设计了变压器耦

合结构的压控振荡器，频率调谐范围为210.3~226.2GHz，电路的输出功率是-

10~3.7dBm，功耗是48.9mW，在频偏10MHz处的相位噪声是-100.65dBc/Hz，版

2

图面积是0.22mm。

2、毫米波注入锁定分频器采用电流复用技术，通过双端注入LC谐振腔混

频的方式，提高跨导，从而提升注入电流强度并增加锁定范围。最终实现的注入

锁定分配器的频率锁定范围是200~236GHz，电源供电电压是1.8V，电路的直流

2

功耗为20.55mW，版图面积是0.16mm。

关键词：SiGeBiCMOS工艺、HBT变容管、压控振荡器、变压器耦合、注入锁

定分频器

ABSTRACT

Withthepaceofthetimes,thefieldofmobilecommunicationhasbeen

increasinglyinnovatedanddevelopedyearbyyear,andmoreandmorewireless

communicationtechnologiesandartificialintelligenceproductshavebeenintegrated

intoourlives.Atpresent,5Gmobilecommunicationtechnologyisgradually

popularizing,andtheworkingfrequencybandofhigh-frequencysignalsisvery

sufficient,andthemultiplexingrateofthelowfrequencybandisgraduallysaturated,

resultinginthechannelworkingspacebecomingincreasinglycrowded.Studying

millimeter-wavesignaltransmissioncangreatlyalleviatetheburdenoflow-band

channeloperation.Atthesametime,theadvantageofmillimeterwavemakessignal

transmissiongreatlyimproveinstability,confidentialityandhighefficiency,so

millimeter-