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Ctt～电容湿度仪

上海冶金研究所曹德福胡建婪

主题词电容湿度仪设计重复性好能在175℃至一55℃范围内工作，，

方案原理正交分量法响应速度快等特点，某些特性与检测仪表的方

移相电路线性化电路案考虑关系更为峦切，即：

①Si-MOS湿度传感器其电性能可用图

一、前言

1简化等效电路来表示图中R、CP分别为传

随着微电子工业的迅速感器二极闯的电容量和电阻值。传感器的响应

营德福发展，器件的可靠性问题越值与水分浓度近似某种指数关系：

来越显得突出，而造成器件失效的主要原因之ACp=Ae+CJ(1)

一，仍是封装漏气、漏湿而引起器件表面电化学式中ACp一一湿度传感器因水分浓度的交亿

腐蚀，使器件电路的电学性能变差甚至导致失丽引起的电容增量

效，据统计在微电子器件、电路中因湿气侵入所T——所测气体的露点(水分演鹰)

导致的漏电、短路、断线及电性能失常等方面原A、B、C——常数

因占总失效的5O％以上。因此有必要研制能连

续、迅速反应封装内部湿气含量的测试仪器，以

监视．控制器件的封装质lo

二、主要技术指标

电容测量范围：1~2000pF②伴随Si-MOS湿度传感器静电容量的

电容测量精度：1~200pF±1％+1pr,变化其西并联在电容两端的电阻分量R，(衡橼

200~2000pF±0．5％漏电阻)也有较大的变化；随着水分浓度上舞电

电容测量重复性：±1pF阻值下降幅度较大，且半导体电阻值还受环

仪器稳定性：优于±0．1％．m境温度、湿度、介质性能的影响都较大，因此其

露点测量范围：一8O～+10。C变化值不但大面且不大稳定。

露点测量精度：±3。C露点为实现上述技术性能，其关键问题要选择

某种电容测量方法：它不仅具有较高的测量精

三、设计方案

度，而且必须使测量结果与漏电阻RP无关，或

本仪器采用sMOs湿度传感器，该传者至少能将由于的影响所产生的铡量误差

搏器实质上是一个以低阻单晶硅作下电极，以减至最小，又要能迅速反应被测电容值。传统

多孔金属膜作上电极，以阳极氧化多孔AOa测量电容值的方法有①谐振法；②双T睡格法；

作为湿效电窬介质的典型MOS电容器。它是⑤充放电时间法；④电桥测量法；⑤辱鳙检测

通过其输出电容值的变化来表征被测气体湿度法；⑧正交分量法等。前三种方法虽然缱路结

舳变化。该传感器具有湿敏响应范围宽，功能构简单，但均因测量误差较大，特别是在嵩摄时