3D IC封装中铜柱凸点与硅通孔互连可靠性的多维度解析与优化策略.docx

3DIC封装中铜柱凸点与硅通孔互连可靠性的多维度解析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着物联网、大数据、人工智能等新兴技术的迅猛发展，电子设备正朝着小型化、高性能、多功能以及低功耗的方向快速演进。在这一发展趋势下，对集成电路（IC）封装技术的要求也日益严苛，传统的二维（2D）IC封装技术由于电子元件均位于单一硅片上，在性能提升、功耗降低和封装密度增加等方面遭遇了难以突破的瓶颈，信号传输速度受限，发热问题也难以有效解决。因此，三维集成电路（3DIC）封装技术应运而生，成为当前集成电路领域的研究热点和发展趋势。

3DIC封装技术通过在垂直方向上堆叠多个芯片层，并借助硅通孔（