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2025年大学《微电子科学与工程-微电子器件原理》考试备考试题及答案解析

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一、选择题

1.在半导体材料中，硅的禁带宽度大约为（）

A.1.1eV

B.2.3eV

C.0.7eV

D.3.6eV

答案：A

解析：硅作为常见的半导体材料，其禁带宽度为1.1eV，这是决定其导电性能的关键参数。其他选项中，2.3eV接近于间接带隙材料的禁带宽度，0.7eV太小，不适合作为半导体，3.6eV则远大于常见半导体的禁带宽度。

2.当N型半导体温度升高时，其导电性将（）

A.降低

B.不变

C.升高

D.先升高后降低

答案：C

解析：在N型半导体中，导电性主要由自由电子决定。温度升高时，晶格振动加剧，使电子更容易获得足够能量成为自由电子，从而导电性增强。

3.PN结正向偏置时，其耗尽层厚度将（）

A.变厚

B.变薄

C.不变

D.先变厚后变薄

答案：B

解析：正向偏置时，P区接正极，N区接负极，外部电场与内建电场方向相反，削弱内建电场，使耗尽层变薄。

4.MOSFET器件中，栅极电压对沟道形成的影响主要体现在（）

A.沟道掺杂浓度

B.沟道长度

C.沟道宽度

D.沟道导电类型

答案：C

解析：栅极电压通过电场效应控制沟道中的自由电荷浓度，从而影响沟道的形成和宽度。改变栅极电压可以改变沟道宽度，进而影响器件的导电性能。

5.双极结型晶体管（BJT）的电流放大系数β主要取决于（）

A.基区宽度

B.发射区掺杂浓度

C.集电区掺杂浓度

D.温度

答案：B

解析：BJT的电流放大系数β反映基极电流对集电极电流的控制能力，主要与发射区掺杂浓度有关。发射区掺杂浓度越高，注入基区的电子越多，β值越大。

6.MOSFET器件的输出特性曲线中，饱和区的主要特征是（）

A.漏极电流随栅极电压线性增加

B.漏极电流基本不随漏极电压变化

C.漏极电流随漏极电压线性增加

D.栅极电流随漏极电压变化

答案：B

解析：在MOSFET的饱和区，沟道被夹断，漏极电流主要受栅极电压控制，基本不随漏极电压变化，呈现恒流特性。

7.半导体器件的击穿现象中，雪崩击穿主要发生在（）

A.PN结反向偏置时

B.PN结正向偏置时

C.MOSFET沟道击穿时

D.BJT基极击穿时

答案：A

解析：雪崩击穿是半导体PN结在强反向电场作用下，载流子碰撞电离导致的击穿现象，主要发生在PN结反向偏置时。

8.温度对半导体器件参数的影响主要体现在（）

A.电阻率

B.电流放大系数

C.禁带宽度

D.以上都是

答案：D

解析：温度升高会导致半导体材料的电阻率降低，载流子浓度增加，从而使器件的电流放大系数、阈值电压等参数发生变化，禁带宽度也会随温度升高而减小。

9.MOSFET器件的阈值电压Vth主要取决于（）

A.栅极材料

B.沟道长度

C.掺杂浓度

D.温度

答案：C

解析：MOSFET的阈值电压是使器件开启所需的最低栅极电压，主要取决于半导体材料的掺杂浓度和表面势垒高度。掺杂浓度越高，阈值电压通常越大。

10.半导体器件的可靠性设计中，主要考虑的因素包括（）

A.温度漂移

B.老化效应

C.过电保护

D.以上都是

答案：D

解析：半导体器件的可靠性设计需要综合考虑温度漂移、老化效应、过电保护等多种因素，以确保器件在各种工作条件下都能稳定可靠地运行。

11.在制作N型半导体时，通常向纯硅中掺入（）

A.硼（B）

B.磷（P）

C.铝（Al）

D.镓（Ga）

答案：B

解析：磷（P）具有五个价电子，掺入硅（Si）晶格中时，其中一个电子将成为自由电子，增加材料中的导电载流子浓度，形成N型半导体。硼（B）、铝（Al）和镓（Ga）均为三价元素，掺入后会形成P型半导体。

12.PN结反向偏置时，其主要特性是（）

A.漏极电流显著增大

B.耗尽层变窄

C.耗尽层变宽，只有很小的反向饱和电流

D.正向导通特性

答案：C

解析：PN结反向偏置时，P区接负极，N区接正极，外部电场与内建电场方向相同，增强内建电场，使耗尽层变宽。宽化的耗尽层阻碍了多数载流子的移动，只有极少数的少数载流子在漂移过程中形成很小的反向饱和电流。

13.MOSFET器件的栅极通过（）与沟道相互作用，实现电场控制

A.电压

B.电流

C.电容

D.电阻

答案：A

解析：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的名称本身就体现了其工作原理。栅极与源极、漏极之间通过一层绝缘的二氧化硅（SiO2）隔开，形成电容结构。通过在栅极施加电压，可以在半导体沟道中产生电场，从而控制沟道的导电状态，进而控制漏