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2025年大学《电子科学与技术-微电子器件》考试模拟试题及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.在半导体材料中，硅（Si）属于（）

A.元素半导体

B.化合物半导体

C.超导体

D.离子导体

答案：A

解析：硅（Si）是一种元素周期表中的第14号元素，属于元素半导体，具有晶体结构和带隙特性，是制造微电子器件的主要材料。化合物半导体通常由两种或多种元素组成，如砷化镓（GaAs）。超导体在特定温度下电阻为零，离子导体则是通过离子迁移导电。

2.扩散工艺中，用于提高扩散速率的主要方法是（）

A.提高温度

B.增加扩散时间

C.减小样品厚度

D.使用高浓度扩散源

答案：A

解析：扩散是半导体器件制造中的关键工艺，其速率主要受温度影响。根据扩散理论，温度越高，原子或离子迁移越快，扩散速率越快。增加扩散时间可以增加掺杂浓度，但不是提高瞬时速率的方法。减小样品厚度和增加扩散源浓度对速率影响较小。

3.MOSFET器件中，栅极电压对沟道形成的影响是（）

A.正栅压形成反型层

B.负栅压形成反型层

C.栅压为零时无沟道形成

D.栅压影响沟道长度

答案：A

解析：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，当施加正栅极电压时，会吸引自由电子到半导体表面，形成反型层（n型沟道）。负栅压则会吸引空穴形成反型层（p型沟道）。栅压为零时，若无预设掺杂，则无沟道形成。栅压主要影响沟道的存在与否，而非沟道长度。

4.光刻工艺中，用于保护未曝光区域的光刻胶类型是（）

A.正胶

B.负胶

C.正负胶均可

D.无胶保护

答案：B

解析：光刻胶在曝光后会发生化学变化，用于保护未曝光区域的类型称为负胶。负胶在曝光区域溶解，未曝光区域保留；正胶则在曝光区域保留，未曝光区域溶解。因此，负胶用于保护未曝光区域。正负胶均可和无需胶保护的说法不符合实际工艺。

5.晶体管放大电路中，共发射极接法的电压放大倍数主要取决于（）

A.输入电阻

B.输出电阻

C.电流放大系数

D.电压放大系数

答案：C

解析：共发射极电路的电压放大倍数主要受电流放大系数（β或hFE）影响，其表达式为Av≈-β*Rc/Ri，其中Rc是集电极电阻，Ri是输入电阻。输入电阻和输出电阻对电压放大倍数有影响，但不是主要因素。电压放大系数是描述放大能力的参数，而非决定因素。

6.LSI和VLSI技术的关键区别在于（）

A.集成度

B.速度

C.成本

D.功耗

答案：A

解析：LSI（大规模集成电路）和VLSI（超大规模集成电路）的主要区别在于集成度。LSI集成度在每平方毫米几百到几千个晶体管，而VLSI集成度更高，可达每平方毫米几万到几十万个晶体管。速度、成本和功耗虽然随技术发展有所变化，但不是区分LSI和VLSI的核心标准。

7.CMOS反相器中，静态功耗主要来源于（）

A.电路开关损耗

B.阴极射线辐射

C.晶体管漏电流

D.频率变化

答案：C

解析：CMOS（互补金属氧化物半导体）反相器的静态功耗主要来自晶体管漏电流，即使在静态下（输入信号不变），MOSFET的栅极漏电流也会产生功耗。电路开关损耗与动态功耗相关，阴极射线辐射和频率变化不是静态功耗的主要来源。

8.半导体器件的击穿电压主要受（）

A.掺杂浓度

B.器件面积

C.温度

D.栅极电压

答案：A

解析：半导体器件的击穿电压（如击穿电压）主要受掺杂浓度影响。高掺杂浓度会降低击穿电压，低掺杂浓度则提高击穿电压。器件面积主要影响击穿电压的绝对值，而非决定性因素。温度和栅极电压会影响击穿特性，但掺杂浓度是最根本的因素。

9.硅片外延生长中，用于提供掺杂元素的方法是（）

A.气相外延

B.液相外延

C.化学气相沉积

D.离子注入

答案：A

解析：硅片外延生长中，气相外延（VPE）可以通过在反应气体中引入掺杂元素（如磷、硼的气体）来提供掺杂。液相外延（LPE）通常需要溶液中的掺杂源。化学气相沉积（CVD）主要用于薄膜沉积，而非掺杂。离子注入是后道工艺，不属于外延生长过程。

10.双极结型晶体管（BJT）的电流放大系数β主要取决于（）

A.基区宽度

B.发射区掺杂浓度

C.集电区掺杂浓度

D.工作频率

答案：B

解析：双极结型晶体管（BJT）的电流放大系数β（hFE）主要受发射区掺杂浓度影响。高发射区掺杂浓度可以增加发射结注入效率，从而提高β值。基区宽度和集电区掺杂浓度也会影响β，但发射区是主要因素。工作频率对β有频率响应，但不是决定性因素。

11.在微电子器件制造中，用于形成平坦化表面的工艺是（）

A.氧化工艺

B.刻蚀工艺

C.化学机械抛