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2025年大学《电子信息材料-半导体材料》考试备考试题及答案解析

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一、选择题

1.半导体材料的禁带宽度主要由哪个因素决定？（）

A.材料的晶格结构

B.材料的原子序数

C.材料的价电子数

D.材料的化学键类型

答案：D

解析：禁带宽度主要取决于材料中电子与空穴的相互作用，这与化学键的类型密切相关。离子键合材料的禁带宽度通常较大，而共价键合材料的禁带宽度则较小。晶格结构、原子序数和价电子数虽然对材料性质有影响，但不是决定禁带宽度的最主要因素。

2.硅材料在室温下导电性较差的原因是？（）

A.硅材料是绝缘体

B.硅原子最外层电子数为4，难以形成自由电子

C.硅材料中存在大量杂质

D.硅材料的禁带宽度较大

答案：D

解析：硅是典型的半导体材料，其禁带宽度较大（约1.12eV），在室温下热激发产生的电子数量有限，导致导电性较差。硅原子最外层电子数为4，可以形成共价键，但并非难以形成自由电子。纯硅材料中杂质含量很低，不是导电性差的主要原因。

3.n型半导体中，导电主要依靠？（）

A.自由电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.正离子

答案：A

解析：在n型半导体中，通过掺入五价杂质原子，产生大量自由电子作为主要载流子，因此导电主要依靠自由电子。空穴虽然也存在，但不是主要载流子。电子和空穴共同参与导电的是本征半导体或p型半导体。

4.p型半导体中，多数载流子是？（）

A.自由电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.负离子

答案：B

解析：在p型半导体中，通过掺入三价杂质原子，产生大量空穴作为主要载流子，因此导电主要依靠空穴。自由电子虽然也存在（作为少数载流子），但不是多数载流子。

5.半导体材料的掺杂目的是？（）

A.提高材料的熔点

B.改变材料的导电性能

C.增加材料的禁带宽度

D.改变材料的晶格结构

答案：B

解析：掺杂的主要目的是通过引入杂质改变材料中载流子的浓度，从而显著改变材料的导电性能。掺杂可以制备n型、p型半导体，用于制造各种电子器件。掺杂对材料的熔点、禁带宽度（通常影响较小或相反）和晶格结构影响不大。

6.硅材料中，形成电子-空穴对的主要能量来源是？（）

A.材料的内能

B.材料的外加电压

C.热能

D.材料的化学能

答案：C

解析：半导体材料中的电子-空穴对主要是由热能激发产生的。在室温下，热能足以使部分电子跃迁到导带，留下空穴。外加电压可以加速载流子运动，但不是产生电子-空穴对的主要原因。材料的内能和化学能对电子-空穴对的产生影响很小。

7.半导体材料的能带结构中，哪一层是满带？（）

A.导带

B.惰带

C.价带

D.禁带

答案：C

解析：在半导体材料的能带结构中，价带通常在室温下是满带，其中电子数达到最大值。导带是空的或部分填充，禁带是电子无法存在的能量范围。惰带不是能带结构中的标准术语。

8.本征半导体中，电子浓度与空穴浓度的关系是？（）

A.电子浓度大于空穴浓度

B.电子浓度小于空穴浓度

C.电子浓度等于空穴浓度

D.电子浓度与空穴浓度无关

答案：C

解析：在本征半导体中，电子和空穴是通过热激发成对产生的，因此电子浓度等于空穴浓度。这是本征半导体的一个基本特征。

9.掺杂浓度越高，半导体材料的导电性？（）

A.越差

B.越好

C.不变

D.先变好再变差

答案：B

解析：在一定范围内，提高掺杂浓度会增加材料中的载流子浓度，从而显著提高导电性。但是，当掺杂浓度过高时，材料可能发生其他变化（如复合增加），导电性可能会下降。但在常规掺杂范围内，导电性随掺杂浓度增加而增强。

10.硅材料与锗材料的相似之处是？（）

A.都是非金属元素

B.都属于金属元素

C.都具有相同的禁带宽度

D.都具有相同的晶格结构

答案：A

解析：硅和锗都是位于元素周期表第14族的非金属元素，具有相似的化学性质和物理性质。它们都属于半导体材料，但禁带宽度不同（锗的禁带宽度小于硅），晶格结构相同（都是金刚石结构）。

11.在半导体材料中，掺杂元素原子最外层电子数多于4个时，通常形成？（）

A.n型半导体

B.p型半导体

C.本征半导体

D.绝缘体

答案：B

解析：半导体材料掺杂时，如果掺入的杂质元素原子最外层有5个电子（如磷、砷），它有4个电子与硅原子形成共价键，多余的一个电子很容易成为自由电子，从而增加材料中的电子浓度，使材料呈现导电性。这种杂质称为施主杂质，形成的半导体称为p型半导体。（应为n型半导体，解析需修正）修正后：半导体材料掺杂时，如果掺入的杂质元素原子最外层有5个电子（如磷、砷），它有4个电子与硅原子形成共价键，多余的一个电子很容易成为自