碳化硅器件的栅介质和肖特基势垒研究.pdfVIP

摘要

SiCMOSFET器件以及SiCSBD器件都是基于碳化硅材料使用最为广泛的器件。但是

MOSFET器件的栅氧化层有着高漏电和低击穿的问题，SBD器件中的肖特基接触有着势垒不

均匀性的问题。目前，由于HfO、AlO以及TiO等高k介质材料具有高介电常数、热稳定

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性的优势，是研究改善MOS电容低击穿电场和高漏电的关键。此外，高k介质良好的界面钝

化特性是改善肖特基势垒不均匀性的方法。

本文研究并使用原子层沉积（ALD）技术沉积生长AlO和HfO高k介质薄膜应用于

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SiCMOS器件中，从而改善传统SiO2介质结构的高漏电流，低击穿电场的问题。通过C-V曲

线参数提取以及曲线趋势分析发现HfO/AlO/SiO/SiC的平带电压、迟滞电压以及界面态密

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度均高于HfO/SiO/AlO/SiC结构。此外，TEM测试发现AlO/SiC的界面均匀度高于

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SiO/SiC，而且SiO/SiC界面存在黑色碳簇，表明AlO/SiC良好的界面特性。

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HfO/AlO/SiO/SiC以及HfO/SiO/AlO/SiC在经过300℃与400℃的退火比较中发现，

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400℃的退火界面特性明显退化。通过I-V曲线发现相比传统的SiO/SiCMOS电容，高k介

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质堆栈结构漏电流降低了1-2个量级，击穿电场提高三倍以上。尤其

HfO(50nm)/SiO(2nm)/AlO(2nm)/SiC的击穿电场达到了21.5MV/cm。

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在Ti金属和4H-SiC之间生长一层AlO薄膜形成MIS肖特基二极管，通过C-V和I-V

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的电学测试发现，一方面由于高k介质的插入在两者的接触界面处会有偶极子层的产生，该

偶极子层会导致界面两侧的电势产生差值并因此产生了对肖特基势垒高度的调制。另一方面

由于AlO薄膜良好的界面钝化效果以及TEM测试表明高k介质的插入减少了Ti向SiC中

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的扩散，从而减少固态反应所形成的硅化物，最终改善了肖特基界面的均匀性。

关键词：SiC，MOS电容，高k介质，势垒不均匀性，原子层沉积

ABSTRACT

SiCMOSFETdevicesandSiCSBDdevicesarethemostwidelyuseddevicesbasedonsilicon

carbidematerials.However,thegateoxidelayeroftheMOSFETdevicehastheproblemsofhigh

leakageandlowbreakdown,andtheSchottkycontactintheSBDdevicehastheproblem