基于二硫化铼的MEMS光电传感器设计与制备.docxVIP

下载本文档

0
0
约4.11万字
约 59页
2025-11-21 发布于天津
举报
版权申诉

基于二硫化铼的MEMS光电传感器设计与制备.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

PAGE10

中文摘要

光电传感器是支撑信息科技发展的重要器件，目前已广泛应用于环境监测、航天探测、军事侦察等领域，基于二维材料的光电传感器是新一代探测技术的重要发展方向。其中，二硫化铼（ReS2）具有独特的扭曲三斜（1T）晶体结构，从块体材料到单层材料始终为直接带隙半导体，其带隙不随层数的改变而发生变化，同时ReS2还展现出独特的面内各向异性光电性质，这些特性使其在光电传感器领域展现出巨大的应用潜力，因此对ReS2进行深入研究符合当前半导体集成技术不断发展创新的需要。基于此，本论文结合SentaurusTCAD模型建构与性能仿真，采用微机电系统（Micro-Electro-Mecha