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2025年大学《微电子科学与工程-模拟集成电路设计》考试备考试题及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.模拟集成电路设计中，CMOS反相器的阈值电压VTH主要取决于（）

A.沟道长度

B.沟道宽度

C.栅氧化层厚度

D.负载电阻大小

答案：C

解析：阈值电压VTH是CMOS器件中栅极电压与源极电压之差，使得晶体管从截止区进入导通区的临界值。它主要受栅氧化层厚度的影响，氧化层越薄，电场强度越大，所需驱动电压越低，因此阈值电压也越低。沟道长度和宽度主要影响器件的导通电阻和电流驱动能力，负载电阻则是外部电路参数，对VTH影响不大。

2.在模拟电路的频率响应分析中，三阶交点频率（f3dB）通常用来描述电路的（）

A.低频特性

B.高频特性

C.中频带宽

D.增益滚降

答案：D

解析：三阶交点频率f3dB是指电路增益滚降到1/√2（约-3dB）时的频率点。它反映了电路在高频端的性能，是衡量模拟电路带宽的重要参数。低频特性通常用开环增益和相位裕度描述，中频带宽是指增益下降到0dB时的频率范围。

3.模拟集成电路设计中，为了提高共源放大器的输入阻抗，应该（）

A.增加源极电阻

B.减小栅极偏置电流

C.增加栅极电容

D.减小沟道长度

答案：B

解析：共源放大器的输入阻抗主要由栅极偏置电流决定，偏置电流越小，输入阻抗越大。增加源极电阻会降低跨导，从而减小输入阻抗。增加栅极电容会形成低通滤波，对输入阻抗影响不大。减小沟道长度会增加跨导，降低输入阻抗。

4.在带隙基准电压源设计中，利用两个不同晶体管尺寸的电流镜是为了实现（）

A.增益放大

B.电流镜像

C.温度补偿

D.频率控制

答案：C

解析：带隙基准电压源通过将两个晶体管的Vbe差值与Vbe自身进行加权求和，从而实现温度补偿。这是因为Vbe对温度的依赖性与绝对温度成近似线性关系，通过合理设计晶体管尺寸比例，可以使温度变化时输出电压保持稳定。电流镜像是电流镜的基本功能，增益放大和频率控制与带隙基准设计无关。

5.模拟集成电路中的噪声主要来源于（）

A.供电电压

B.电阻热噪声

C.开关噪声

D.数字信号干扰

答案：B

解析：模拟电路噪声主要来源于电阻热噪声和器件散粒噪声。热噪声是电阻中自由电子热运动产生的随机电压或电流波动。开关噪声主要存在于数字电路中，对模拟电路影响较小。供电电压纹波虽然会产生噪声，但通常可以通过滤波抑制。电阻热噪声是模拟电路中最主要的噪声源之一。

6.在CMOS工艺中，为了提高器件迁移率，通常会（）

A.增加沟道掺杂浓度

B.减小沟道掺杂浓度

C.增加栅氧化层厚度

D.减小栅氧化层厚度

答案：A

解析：器件迁移率是指载流子在电场作用下的运动速度，它与沟道掺杂浓度密切相关。增加沟道掺杂浓度可以提高载流子与声子、杂质等的散射几率，从而降低迁移率。相反，减小掺杂浓度可以减少散射，提高迁移率。栅氧化层厚度主要影响阈值电压和器件电容，对迁移率影响较小。

7.模拟集成电路布线时，为了避免信号串扰，应该（）

A.增加走线宽度

B.减小走线间距

C.使用地线隔离

D.增加电源线数量

答案：C

解析：信号串扰是指相邻信号线之间通过电容或电感耦合产生的干扰。使用地线隔离可以有效减少这种耦合，因为地线可以提供一个低阻抗的返回路径，降低寄生电容和电感的影响。增加走线宽度主要影响电阻和电容，减小走线间距反而会增加串扰。增加电源线数量对串扰抑制效果有限。

8.在差分放大器设计中，为了提高共模抑制比CMRR，应该（）

A.增大两个输入晶体管的尺寸差异

B.减小两个输入晶体管的尺寸差异

C.增大输出负载电阻

D.减小输入偏置电流

答案：B

解析：差分放大器的共模抑制比CMRR取决于差模增益和共模增益的比值。为了提高CMRR，需要尽量使两个输入晶体管的特性完全一致，即减小它们的尺寸差异。尺寸差异越大，两个晶体管的Vbe、跨导等参数就越难匹配，导致共模增益增加，CMRR下降。增大输出负载电阻和减小输入偏置电流对CMRR影响不大。

9.在模拟集成电路版图中，电源网络和地网络应该（）

A.贯穿整个芯片

B.避免交叉

C.使用宽金属线

D.接近芯片边缘

答案：C

解析：电源网络和地网络是模拟电路中最重要的金属布线，需要提供低阻抗的电源和地路径。使用宽金属线可以有效降低线路电阻和电感，提高电源稳定性。贯穿整个芯片会增加布线复杂度，避免交叉会限制布局灵活性，靠近芯片边缘不利于所有电路获得稳定电源。

10.在模拟电路测试中，为了减小测试引入的噪声，应该（）

A.提高测试频率

B.增加测试电流

C.使用差分测量

D.减小测试电压

答案：