氮化铝晶片吸收系数测试方法.docxVIP

ICSCCS

29.045H83

团体标准

T/CASAS054—2025

氮化铝抛光片吸收系数测试方法

TestmethodfortheabsorptioncoefficientofAINpolishedwafers

2025-05-20实施2025-05-20发布

2025-05-20实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS054—2025

I

目次

前言 II

引言 III

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4原理 2

5测试条件 2

6仪器设备 3

光源 3

分光系统 3

光束整形系统 3

积分球 3

光探测器 3

厚度测量仪器 3

7样品 3

8实验步骤 3

选取测试点位 3

厚度测试 4

透射率测试 4

吸收系数计算 4

9实验数据处理 4

10实验报告 4

附录A（资料性）吸收系数测试记录表 6

附录B（资料性）氮化铝样品透射谱参考图 7

附录C（资料性）氮化铝样品吸收系数参考图 8

参考文献 9

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II

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位：中国科学院半导体研究所、奥趋光电技术(杭州)有限公司、北京大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东大学、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、山西中科潞安半导体技术研究院有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：刘志彬、吴亮、于彤军、程红娟、张雷、徐广源、张童、王新强、宋德鹏、高伟。

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III

引言

氮化铝(AlN)是直接带隙半导体，具有超宽禁带宽度(6.2eV)、高热导率[3.2W/(cmK)]、高表面声波速率(VL=10.13×105cm/s，VT=6.3×105cm/s)、高击穿场强（15.4MV/cm）和稳定的物理化学性能，是紫外/深紫外发光材料的理想衬底，基于此衬底制作的AlxGa1-xN材料可以实现200nm～365nm波段内的连续发光；此外，AlN材料可以制作耐高压、耐高温、抗辐射和高频的电子器件。所以，AlN晶体在深紫外发光器件、高功率微波器件、抗辐照器件等领域具有巨大的市场潜力。

AlN单晶理论上对波长大于200nm的光几乎完全透过，晶体成透明色。但是，目前生长出的AlN单晶多呈棕色或暗棕色，对深紫外波段(200nm～300nm)的光有较强的吸收，从而影响基于AlN单晶衬底的深紫外发光器件性能。这些吸收主要由AlN单晶缺陷所致，包括碳、氧、硅杂质，以及各种点缺陷。同时，这些缺陷会成为深能级施主或受主使得由AlN衬底制备的光电子器件性能下降。

透射率/吸收系数是AlN晶片衬底非常重要的特征参数，一定程度上代表了作为发光器件衬底材料的质量。因此，AlN晶片透射率/吸收系数，特别是特定波长范围的透射率/吸收系数，对AlN衬底晶片的应用具有重要意义。

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1

氮化铝抛光片光吸收系数测试方法

1范围

本文件描述了氮化铝（AlN）抛光片光吸收系数的测试方法，包括原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。

本文件适用于氮化铝抛光片的光学质量控制和评估。氮化铝外延片可参照使用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T32267-2015分析仪器性能测定术语

3术语和定义

GB/T14264、GB/T32267-2015界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

吸收系数absorpti