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碳化硅（SiC）功率器件特性剖析及其在PFC电路中的创新应用与前景展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今社会，能源问题已成为全球关注的焦点。随着科技的飞速发展和人们生活水平的不断提高，各种电子设备的广泛应用使得能源消耗日益增长。在此背景下，提高能源转换效率、降低能源损耗成为了电力电子领域的重要研究课题。

碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体器件的代表，凭借其卓越的性能优势，在能源转换领域展现出了巨大的应用潜力。与传统的硅基功率器件相比，SiC功率器件具有宽禁带、高临界击穿电场、高导热率等特性，这些特性使得SiC功率器件能够在更高的温度、电压和频率下稳定工作，有效降低导通损耗和