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埋栅4H-SiC静电感应晶体管：结构优化与性能特性的深度剖析.docxVIP

埋栅4H-SiC静电感应晶体管：结构优化与性能特性的深度剖析.docx

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    埋栅4H-SiC静电感应晶体管：结构优化与性能特性的深度剖析

    一、绪论

    1.1研究背景与意义

    在半导体器件的发展历程中，埋栅4H-SiC静电感应晶体管（StaticInductionTransistor，SIT）逐渐崭露头角，成为研究与应用领域的焦点之一。随着现代科技对高性能半导体器件需求的不断攀升，SIT凭借其独特的结构与性能优势，在众多领域展现出巨大的应用潜力。

    从性能角度来看，埋栅4H-SiCSIT在高频、大功率应用场景中表现卓越。其具备高开关速度，能够在短时间内完成信号的切换与处理，这使得它在通信领域中，如5G乃至未来的6G通信基站的信号处理模块中，可

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