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2025及未来5-10年普通三极管项目投资价值市场数据分析报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、三极管底层物理机制与器件性能边界解析 5
1.1载流子输运机理与掺杂浓度对增益带宽积的影响 5
1.2热载流子效应与击穿电压的微观制约关系 7
二、全球三极管制造工艺路线图对比与技术代差解构 9
2.1硅基BJT与化合物半导体异质结三极管的国际工艺节点对标 9
2.2欧美日韩在微米/亚微米级三极管量产良率控制体系差异 12
三、上游材料-中游制造-下游应用全链路价值密度分布 14
3.1高纯硅片与外延层缺陷密度对器件参
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