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2.求杂质分布2.7耗尽层电容求杂质分布和变容二极管在杂质分布未知的PN结中，可以利用电容?电压曲线描绘出轻掺杂一边的杂质分布，此称求杂质分布。考虑任意杂质分布：（2-78）x()xN()WNWdW式中是在空间电荷层边缘处的杂质浓度。由泊松方程，电场增量是与电荷增量之间具有如下关系：电场增量偏压增量的具有如下关系：（2-80）第61页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.求杂质分布2.7耗尽层电容求杂质分布和变容二极管由得：——势垒电容把（2-79）式至（2-81）式代入（2-78）式并将结果重新整理得到（2-82）第62页，共94页，星期日，2025年，2月5日3.求杂质分布的程序2.7耗尽层电容求杂质分布和变容二极管在不同反偏压下测量电容：用（2-81）式求出以上不同反偏压下的空间电荷区宽度：画出相对的曲线。从此曲线中取并将其结果代入（2-82）式计算出画出完整的杂质分布注意：倘若出现高密度的陷阱中心和界面态，如硅中掺金情形，前面的分析必须加以修正，以适应这些荷电的状态。第63页，共94页，星期日，2025年，2月5日3.求杂质分布的程序2.7耗尽层电容求杂质分布和变容二极管由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果第64页，共94页，星期日，2025年，2月5日3.求杂质分布的程序2.7耗尽层电容求杂质分布和变容二极管由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果第65页，共94页，星期日，2025年，2月5日4.变容二极管2.7耗尽层电容求杂质分布和变容二极管根据（2-76）可见反向偏置的PN结可以作为电容使用在LC调谐电路中。专门为此目的制造的二极管称为变容二极管。结型二极管的电容?电压方程可写成：对于单边突变结，，如式（2-76）中所表示。（2-83）第66页，共94页，星期日，2025年，2月5日第29页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性1.理想的P-N结的基本假设及其意义1)外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导体是电中性的，这意味着忽略中性区的体电阻和接触电阻。2)均匀掺杂。无内建电场，载流子不作漂移运动。3)空间电荷区内不存在复合电流和产生电流。4)小注入，即5)半导体非简并第30页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性2.载流子分布满足边界条件解得解稳态扩散方程第31页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性2.载流子分布对于长二极管，上式简化为PN结P侧的电子分布为少数载流子分布第32页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性3.电流分布对于长二极管，空穴注入所引起的扩散电流为在空间电荷层边缘（2-40），空穴电流为空穴电流分布改写为（2-42）第33页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性3.电流分布（2-47）类似，电子电流分布为空穴电流分布为第34页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性3.电流分布公式（2-42）和（2-47）指出，由于少子电流沿远离PN结的方向而e指数地减小。因为总电流相对于x来说必定不变，才能满足电流连续性。所以多子电流必须随着x增加而增加，以补偿空穴电流的下降。也就是说，少子电流通过电子?空穴对的复合不断地转换为多子电流。电子电流和空穴电流：忽略空间电荷区的复合电流和产生电流，得总电流：——二极管饱和电流第35页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性4.PN结饱和电流的几种表达方式(一般是反向饱和电流)理想PN结饱和电流来源于扩散区内产生的非平衡少数载流子。（2-49d）（2-49c）二极管饱和电流由电子扩散电流和空穴扩散电流两部分构成（2-49a）（2-49b）对于P+N(N+P)单边突变结，电子电流（空穴电流）可以忽略与半导体材料的禁带宽度有密切的关系。禁带宽度大，其值越小。第36页，共94页，星期日，2025年，2月5日2.3理想PN结的直流电流－电压特性5.反向偏置PN结的少子分布和电流分布（a）少数载流子分布（b）少数载流子电流（c）电子电流和空穴电流反向偏压——反向饱和电流——分别是PN结空穴扩散区和电子扩散区所发生的空穴产生电流和电子