2025年半导体设备工艺工程师面试题及答案(经典版).docx

2025年半导体设备工艺工程师面试题及答案(经典版)

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在等离子体刻蚀工艺中，若发现晶圆中心刻蚀速率显著高于边缘，最优先调整的参数是

A.上电极功率?B.下电极功率?C.腔体压力?D.气体总流量

答案：B。下电极功率直接决定离子轰击能量，对径向均匀性影响最大，优先微调其径向分布线圈或分段功率。

2.对于28nm以下节点，ALDTiN薄膜电阻突然升高，XPS显示Cl2p峰面积增加3倍，最可能的根源是

A.前驱体瓶温度偏低?B.吹扫时间不足?C.腔体漏率升高?D.等离子体解离效率下降

答案：C。Cl残留通常源