TFT-LCD及多种显示技术原理调研报告.pdfVIP

TFT-LCD第一次作业

微电子

调研OLEDPDPCRTFEDLCOS的显示原理

OLED：

即有机发光二极管，又称有机电激光显示。不同于LED需要背光源，OLED具有自发光

特性。其阳极为一层薄而透明的具有特性的铟锡氧化物(ITO)与电源正极相连，作为

空穴传输层，金属阴极与电源负极相连作为电子传输层，中间包夹有机发光层形成类似三明治

的结构，发光层材料根据不同配方可产生红绿蓝三原色。在阳极和阴极输入直流顺向偏压，阳极中

的空穴和阴极中的电子受到驱有机发光层流动并在其中结合，产生能量使发光层材料稳

态低能阶电子受到激发而至外层基态高能阶轨道，由于激发不稳定其会回到原来的轨道，

从而以光和热的形式释放电子跃迁的能量，光线可以透过透明ITO层产生显示的功能。显示

反应快，可视度与亮度相比LED更为优秀。

PDP：

即等离子显示屏，地区称为电浆显示屏。其发光元件为等离子管，其中充入氖、氙

等惰性气体。每一个等离子管对应一个像素，每个像素由三原色等离子发光体产生。屏幕以

两块玻璃为基板，其内侧面涂有金属氧化物导电薄膜作为激励电极。等离子管夹在两层玻璃

中间，两层玻璃有一定间距，四周经气密性封接形成大量发光空间（等离子管）。在电极上

加电压后，等离子管中的气体产生等离子效应而放出紫外线，激发荧光层中的荧光粉产生可

见光。激发时间的长短可产生不同的亮度，而像素的明暗和颜色组合变化可产生不同灰度和

色彩的图像，从而具有了显示功能。PDP也不需要背光源，具有自发光特性。

CRT：

阴极射线管显示终端，主要由电子枪、偏转线圈、荫罩、荧光粉层和玻璃外壳组成。，

加电压后，阴极在灯丝加热作用下电子，在阳极高压形成的加速极电场作用下经聚焦极

形成极细的，即电子枪的原理。偏转线圈分为磁场偏向型、电场偏向型和威廉士管，

分别以磁场、电场和记忆保持功能使电子产生偏向。在偏转线圈的作用下偏离，穿过

荫罩的小孔或栅栏轰击荧光屏正确位置上的荧光粉，是荧光粉受激发而发光。荧光粉层上有

三原色，因此轰击的有三束，分别由红、绿、蓝三支电子枪并轰击各自的荧光层

单元。在不同强度的电子流轰击下RGB三色荧光点发出强弱不同的红绿蓝光，混合产生不

同色彩的像素。偏转线圈以极快的速度对所有像素进行扫描激发，使以一定顺序周期

性地轰击每个像素发光。大量不同色彩的像素组成完整的图像，起到显示图像的作用。由于

人眼的视觉停留效应，当扫描速度达到一定量时即可显示连续、完整的画面。扫描速度越快，画面

越流畅；像素越多，画面越细腻。

FED：

场致电子显示器。其原理与阴极射线管类似，利用电子轰击屏幕上荧光层的荧光

粉而发光。但不同于CRT，其在阴极使用大规模的金属针尖或者纳米碳管阵列取代电子枪作

为电子源，每个荧光点后面不到3mm处有成千上万极小的电子器。当阴极表面加

强电场时阴极内的电子获得能量从表面逸出，在真空带高压电场的作用下轰击并起到激发涂

层荧光粉的作用。这种电子器是目前已知最高效的，其成束排布在X-Y电极间交叉点上，由

矩阵电路驱动，因此FED无需进行CRT式的广角度扫描。与CRT相比，其工作电压

小，更节能，总组件更少，制作也更为廉价。

LCOS：

液晶覆硅，又称硅基液晶或单晶硅反射式液晶。是一种基于反射模式，尺寸极小的矩

阵液晶显示装置。矩阵由CMOS技术在硅上加工制作而成，每个像素尺寸在7~20微米

之间。像素的电极经研磨技术磨平并镀铝抛光作为反射镜，其上涂布液晶分子，采用网格状

的框架分割成像素。再上是对准层与透明电极。电极间的电压由有效矩阵的电路。光线

透过透明电极入射，在液晶调制作用下产生光电效应电压，并应用在每个像素电极上。工作

时CMOS有源显示驱动矩阵控制列数据线对液晶像素充电，使其电容与控制电极产生

电压差，即将影讯信号夹在像素电极上。在影讯信号作用下液晶分子按照电压取向和强度偏

转，调控出入光线的多少，形成灰阶图像。经由透镜投射至屏幕上，便产生连续而完整的画

面，具有了显示功能。