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GaxZn1-xO陶瓷：烧结工艺、物性特征与应用前景的深度剖析.docx

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    GaxZn1-xO陶瓷：烧结工艺、物性特征与应用前景的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在材料科学领域，随着科技的飞速发展，对新型高性能材料的需求日益迫切。GaxZn1-xO陶瓷作为一种具有独特性能的材料，近年来受到了广泛的关注。它结合了ZnO的优良特性以及Ga元素掺杂带来的新性能，在众多领域展现出巨大的应用潜力。

    ZnO是一种重要的II-VI族宽禁带半导体材料，具有优异的电学、光学和压电性能，其室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这使得ZnO在光电器件应用中具有很大优势，例如可用于制作发光二极管、激光二极管等。然而，纯ZnO

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