半导体制程概论萧宏.pptVIP

HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*旋乾轉軸至真空幫浦吸盤晶圓第126页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*準備好到下一個步驟轉軸吸盤晶圓第127页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*泥漿式顯影晶圓泥漿顯影液形成泥漿泥漿覆蓋在整個晶圓上自旋洗滌和乾燥第128页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*硬烘烤將所有在光阻中的溶劑蒸發去除改進光阻蝕刻和離子佈植的抵抗力改進光阻表面的附著力聚合作用和穩定光阻光阻流動填滿針孔第129页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*藉熱流填滿光阻的針孔光阻基片基片光阻針孔第130页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*硬烘烤通常使用的方法是加熱平板經檢視後在烤箱中進行硬烘烤的溫度:100到130?C烘烤時間約1到2分鐘對相同的光阻，硬烘烤溫度通常會比軟烘烤的溫度還要高些第131页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*硬烘烤烘烤不足不足的熱聚合作用光阻蝕刻速率高附著力差過度烘烤流動過度而影響到微影技術製程的解析度第132页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*光阻基片基片正常烘烤過度烘烤光阻流動過度而影響到微影技術製程的解析度.光阻光阻流動第133页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*問與答假如一位工程師拿了一瓶不對的光阻來使用，接下來會發生什麼結果?每一種光阻有自己的感光度和黏滯性，所需要的自旋轉速、自旋轉速昇高速率，自旋時間、烘烤的次數和溫度、曝光的強度和時間以及顯影劑和狀況.圖案轉移必定失敗.第134页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*圖案檢視無法通過圖案檢視，則需要剝除光阻送回重做光阻上圖案是暫時性的蝕刻和離子佈植的圖案式永久的.微影製程是可以重做的蝕刻或離子佈植之後就不能重做了.掃描式電子顯微鏡(Scanningelectronmicroscope；SEM)光學顯微鏡第135页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*問與答為什麼光學顯微鏡無法使用在0.25微米的圖形的檢視?因為圖形尺寸(0.25mm=2500?)比可見光的波長還要短，其範圍是從3900?(紫)~7500?(紅)第136页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*電子式顯微鏡電子束在轉角區有較多的二次電子光阻基片在側壁及平面上有較少的電子第137页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm*圖案檢視重疊或對準插出,插入,倍縮光罩旋轉,晶圓旋轉,x方向的錯置以及y方向的錯置關鍵尺寸(CD)表面不合規格的事務，像是括痕、針孔、瑕疵、污染物等.第138页，共196页，星期日，2025年，2月5日HongXiao,Ph.D.www2.austin.cc.tx.us/H