鉴定GaN产品可靠性的综合方法.PDFVIP

鉴定GaN产品可靠性的综合方法

SandeepR.Bahl

GaNReliability

DevicesModelingManager

HighVoltagePowerSolutions

TexasInstruments

TI正在根据GaN基本原理和应用相关测试，设计一套综合质量

计划，以提供可靠的GaN解决方案。

利用氮化镓(GaN)的材料特性，可以研制出性能出色的颠德州仪器(TI)作为半导体技术行业的佼佼者，长期向市场

覆性新型功率开关器件-GaN高电子迁移率晶体管推出可靠的半导体产品，其中包括铁电随机存取存储器

(HEMT)。该HEMT是一种导通电阻更低的场效应晶体管(FRAM)等非硅技术，并拥有丰富的相关经验，因此，我们

(FET)，它的开关速度超过同等大小的硅功率晶体管。这些有能力在市场上推出经过GaN相关方法鉴定并通过应用相

优势使得电源转换更节能并且更节省空间。GaN可以基于关测试的可靠GaN产品。

硅基板而构建，从而可以利用硅制造能力并降低成本。然

而，与新技术一样，该器件的可靠性需要得到验证。GaN标准鉴定方法

器件鉴定是本白皮书的主题。有两家标准机构的鉴定方法广泛用于硅功率器件的鉴定：

电子器件工程联合委员会(JEDEC)和汽车电子委员会

引言(AEC)[2、3、4、5]。这些标准规定了许多测试，可分为三

由于有三十多年的发展经验并不断进行改进，业界理所当类：静电放电(ESD)、封装和器件。

然地认为硅功率晶体管具有很高的稳定性。长期积累的经

静电放电要求是一项强制的操作标准，所以ESD鉴定基本

验已经转化为一种成熟的鉴定方法，可通过标准化测试来

不会发生改变。封装测试类似于对硅器件所做的测试，即

证明器件的可靠性和质量。这些测试基于对故障模式、活

找出故障的根本原因，以建立意外故障机制。之所以出现

化能和加速因子的详细了解，以及开发出的一种可推测使

这种相似性，是因为也对GaN进行以前针对硅器件的后端

用寿命、故障率和缺陷率的统计与数学框架。这种鉴定方

加工，因而也会出现封装应力、键合表面相互作用等常见

法的有效性现已得到证明：几代硅器件已在实际使用条件

问题。“器件”类别是新出现的，因此格外重要。以下各

下按其真实寿命正常运行。

段介绍了标准的硅器件鉴定方法，以及如何修改从而适用

然而，最近开发出了GaN晶体管。基于较昂贵的碳化硅基于GaN。

板的射频GaNHEMT已经广泛应用于无线基站，而且其可

对于硅器件鉴定，应在至少125ºC的结温下施加标准应

靠性已得到了验证[1]。功率GaNHEMT虽然基于类似的

力，持续1000h。假设活化能为0.7eV，温度加速因子为

基本原理，但增加了一些功能，因而可处理更高的电压。

78.6[2]，那么，在结温(Tj)为125ºC时的1000h应力相

它基于硅基板构建而成，并使用与硅制造工艺兼容的材料

当于在Tj=55ºC时使用9年所